《微电子工艺技术》第8章化学气相淀积CVD.pptx

Chapter8化学气相淀积工艺CVD;引言1;引言2;引言3;引言4;Chapter8.1 CVD工艺概述;CVD工艺概述2;8.1.1 CVD工艺分类1;CVD工艺分类2;8.1.2CVD工艺应用;CVD工艺应用2;Chapter8.2 CVD工艺原理;8.2.1CVD工艺流程;CVD主要工艺流程1;CVD主要工艺流程2;薄膜淀积过程1;薄膜淀积过程2;CVD反应必须满足的条件1;CVD反应必须满足的条件2;8.2.2边界层理论;边界层理论2;8.2.3生长动力学;生长动力学2;生长动力学3;Grove模型1;Grove模型2;Grove模型3;淀积极限情况1;淀积极限情况2;淀积极限情况3;温度对淀积速率的影响1;温度对淀积速率的影响2;温度对淀积速率的影响3;淀积速率与气流速率关系;淀积速率与气流速率关系2;淀积速率与气流速率关系3;Chapter8.3 CVD薄膜质量控制;8.3.1 台阶覆盖;台阶覆盖方式1;台阶覆盖方式2;到达角1;到达角2;到达角3;到达角4;气体压力1;气体压力2;表面迁移率1;表面迁移率2;表面迁移率3;再发射;8.3.2 间隙覆盖;间隙覆盖2;间隙覆盖3;间隙覆盖4;间隙覆盖5;间隙覆盖6;间隙覆盖7;间隙覆盖8;8.3.3 薄膜中的应力;薄膜中的应力2;薄膜中的应力3;8.3.4 薄膜致密性;薄膜致密性2;8.3.5 薄膜均匀性;薄膜均匀性2;8.3.6薄膜附着性;8.3.7 表面吸附;化学吸附1;化学吸附2;物理吸附;CVD源材料1;CVD源材料-SiH4;SiH4吸附作用;CVD源材料-TEOS;CVD源材料-TEOS;8.3.8 黏附系数;黏附系数2;黏附系数3;Chapter8.4 CVD工艺方法;8.4.1 APCVD;连续式CVD系统1;连续式CVD系统2;连续式CVD系统3;APCVD优缺点;8.4.2LPCVD;LPCVD系统示意1;LPCVD系统示意2;LPCVD;LPCVD;LPCVD;LPCVD优缺点;8.4.3PECVD工艺;PECVD工艺示意1;PECVD工艺示意2;PECVD;PECVD;PECVD工艺特点;各种CVD工艺对比;Chapter8.5 SiO2薄膜淀积;SiO2制备方法1;SiO2制备方法2;8.5.1 APCVDSiO2薄膜;SiH4+O2淀积SiO2;SiH4+O2淀积SiO2;SiH4+O2淀积SiO2;TEOS+O3淀积SiO2;TEOS+O3淀积SiO2;TEOS+O3淀积SiO2;TEOS+O3淀积SiO2;8.5.2 LPCVDSiO2薄膜;LPCVDSiO2薄膜2;TEOS、TEOS/O2淀积SiO2;TEOS、TEOS/O2淀积SiO2;硅烷类为硅源淀积SiO2;硅烷类为硅源淀积SiO2;8.5.3 旋涂硅玻璃;旋涂硅玻璃2;8.5.4PECVDSiO2工艺;PECVDSiO2工艺2;PECVDSiO2工艺3;SiH4PECVDSiO2工艺1;SiH4PECVDSiO2工艺2;TEOSPECVD;溅射回刻蚀PECVD工艺1;溅射回刻蚀PECVD工艺2;溅射回刻蚀PECVD工艺3;溅射回刻蚀PECVD工艺4;TEOS/O3HDPCVDSiO2工艺1;TEOS/O3HDPCVDSiO2工艺2;TEOS/O3HDPCVDSiO2工艺3;8.5.5 SACVDTEOS/O3;SACVDTEOS/O3;8.5.6CVDSiO2工艺应用;浅槽隔离工艺STI工艺应用;侧壁间隔层1;侧壁间隔层2;金属淀积前介质PMD(或ILD0)1;金属淀积前介质PMD(或ILD0)2;金属淀积前介质PMD(或ILD0)3;金属淀积前介质PMD(或ILD0)4;金属淀积前介质PMD(或ILD0)5;金属淀积前介质PMD(或ILD0)6;金属淀积前介质PMD(或ILD0)7;金属淀积前介质PMD(或ILD0)8;金属层间介质ILD;金属层间介质ILD;金属层间介质ILD;金属层间介质ILD;金属层间介质ILD;金属层间介质ILD;金属层间介质ILD;金属层间介质ILD;金属层间介质ILD;Chapter8.6 氮化硅薄膜淀积;Si3N4优点;Si3N4和SiO2相比缺点;Si3N4薄膜在工艺中的应用;8.6.1 LPCVDSi3N4工艺;SiH2Cl2或SiCl4为硅源LPCVD;SiH4为硅源LPCVDSi3N4;8.6.2 PECVD氮化硅工艺;PECVD氮化硅工艺2;PECVD氮化硅工艺3;8.6.3 CVDSi3N4工艺应用;化学机械抛光(CMP)阻挡层;化学机械抛光(CMP)阻挡层;CVDSi3N4工艺应用2;CVDSi3N4工艺应用3;自对准工艺的刻蚀停