《微电子工艺技术》第9章光刻工艺.pptx

OUTLINE

光刻工艺概述

光刻工艺流程

光刻胶及掩膜板

光刻机和光源

光学光刻

先进光刻技术;引言1;引言2;引言3;Chapter9.1 光刻技术概述;光刻工艺五个基本要求2;光刻工艺五个基本要求3;集成电路制造核心;光刻工艺的挑战;Chapter9.2 光刻工艺流程;光刻工艺流程;多晶硅栅光刻-清洗晶圆;多晶硅栅光刻-烘烤和底漆涂敷;多晶硅栅光刻-光刻胶涂敷;多晶硅栅光刻-软烘烤;多晶硅栅光刻-对准;多晶硅栅光刻-曝光;多晶硅栅光刻-曝光后烘烤;多晶硅栅光刻-显影，硬烘烤;9.2.1晶圆清洗;晶圆清洗2;底漆层;预烘培;底漆涂敷1;底漆涂敷2;表面预处理;9.2.3光刻胶涂敷;光刻胶涂敷2;光刻胶涂敷3;光刻胶输送方法1;光刻胶输送方法2;光刻胶自旋涂敷设备示意;自旋涂敷示意图;光刻胶自旋涂敷1;光刻胶自旋涂敷2;化学式边缘球状物移除1;化学式边缘球状物移除2;光学式边缘球状物移除;9.2.4软烘烤;软烘烤2;软烘烤3;软烘烤4;软烘烤5;软烘烤6;6.2.5对准和曝光;对准1;对准2;对准3;对准4;对准5;曝光1;曝光2;9.2.6曝光后烘烤;驻波效应1;驻波效应2;驻波效应3;驻波效应4;驻波效应5;9.2.7 显影1;显影2;显影3;显影原理1;显影原理2;显影原理3;显影原理4;显影工艺1;喷洒显影工艺1;喷洒显影工艺2;喷洒显影工艺3;泥浆式显影工艺1;泥浆式显影工艺2;9.2.8 硬烘烤;硬烘烤2;硬烘烤3;硬烘烤4;9.2.9显影后图形检查;显影后图形检查2;显影后图形检查3;显影后图形检查4;9.2.10 晶圆轨道-步进机;晶圆轨道-步进机2;晶圆轨道-步进机3;晶圆轨道-步进机4;Chapter9.3 光刻胶和掩膜板;9.3.1 掩膜版1;掩膜版2;掩膜版3;掩膜版4;掩模版的制作流程;一般集成电路的制版工艺流程示意图;早期集成电路的制版工艺流程;掩模版的基本构造;掩模版保护膜功能示意图;铬版掩膜;9.3.2光刻胶;硅片制造中使用光刻胶的目的;光刻胶种类-正胶;光刻胶种类-负胶;光刻胶组成成分1;光刻胶组成成分2;正光刻胶;DQN显影原理;正光刻胶特点;负光刻胶;聚异戊二烯负胶显影原理;负光刻胶特点;光刻胶和光源;9.3.3 光刻胶质量的特征量;对比度1;对比度2;正胶负胶对比度曲线和显影刨面;(光)灵敏度;分辨率;影响曝光质量的因素1;影响曝光质量的因素2;影响曝光质量的因素3;Chapter9.4 光刻机和光源;9.4.1接触式光???机;接触式光刻机2;接触式光刻机3;接触式光刻机4;接触式光刻机5;接触式光刻机6;9.4.2接近式光刻机;接近式光刻机2;接近式光刻机3;接近式光刻机4;9.4.3投影式光刻机;投影式光刻机2;9.4.4扫描投影光刻机;扫描投影光刻机2;扫描投影光刻机3;扫描投影光刻机4;扫描投影光刻机5;9.4.5分步重复投影光刻机;分步重复投影光刻机2;分步重复投影光刻机3;分步重复投影光刻机4;分步重复投影光刻机5;分步重复投影光刻机6;9.4.6步进扫描投影光刻机;步进扫描投影光刻机2;9.4.7曝光光源;曝光光源2;曝光光源3;曝光光源4;曝光光源5;曝光光源6

波长为157nm的深紫外线氟激光器光学光刻攻击已经有所研发，然而193nm浸入式光刻技术的发展使该技术无疾而终。;曝光光源7;Chapter9.5 光学光刻;光的反射;光的折射;光的衍射(无透镜);光的衍射(有透镜);数值孔径1;数值孔径2;分辨率1;分辨率2;分辨率3;分辨率4;用于光刻技术的各种光源;景深DOF;景深DOF;景深DOF;景深DOF;景深DOF;Chapter9.6 先进光刻技术;9.6.1 分辨率增强技术;光反射引起光刻胶反射切口;底部抗反射涂层BARC;顶部光刻胶引起反射;相移掩膜PSM;相移掩膜PSM;相移掩膜PSM;相移掩膜PSM;相移掩膜PSM;光学临近校正1;光学临近校正2;光学临近校正3;光学临近校正4;离轴光照1;离轴光照2;浸入式光刻1;浸入式光刻2;浸入式光刻3;浸入式光刻4;浸入式光刻5;双重图形化技术;;LEFE;极紫外线(EUV);极紫外线(EUV);X光光刻技术;X光光刻技术;X光光刻技术;纳米压印;无掩膜光刻;研究的下一代光刻技术