晶圆级扇出封装外形尺寸征求意见稿.pdf

ICS31.200

CCSL55

江苏省半导体行业协会团体标准

T/XXXXXXX—XXXX

晶圆级扇出封装外形尺寸

点击此处添加标准名称的英文译名

（征求意见稿）

2021-08-15

（本草案完成时间：）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

江苏省半导体行业协会发布

Q/LB.□XXXXX-XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本文件由江苏省半导体行业协会提出。

本文件由江苏省半导体行业归口。

本文件起草单位：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研

究所、华天科技（昆山）电子有限公司、苏州晶方半导体科技股份有限公司、通富微电子股份有限公司、

江苏长电科技股份有限公司、国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：孙鹏、戴风伟、陈立军、胡文华、王瑞娟、吉勇、马书英、王琦、李晨、林耀

剑

T/XXXXXXX—XXXX

晶圆级扇出封装外形尺寸

1范围

本文件规定了晶圆级扇出型封装（FOWLP）的外形尺寸。

本文件适用于晶圆级扇出型封装（FOWLP）的成品器件尺寸检验。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T7581-87半导体分立器件外形尺寸尺寸和公差尺寸标注

GB/T1182产品几何技术规范（GPS）几何公差形状、方向、位置和跳动公差标注

GB/T1958产品几何技术规范（GPS）形状和位置公差检测规定

GB/T4457.4机械制图图样画法图线

GB/T4458.4机械制图尺寸注法

GB/T17451技术制图图样画法视图

SJ/Z9021.3半导体器件的机械标准化第3部分：集成电路外形尺寸绘制总则

JEDECDESIGNGUIDE4.18-WLBGA美国电子器件工程联合委员会WLBGA设计指南第4部分第18节

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

晶圆扇出型封装Fan-outWafer-LevelPackage(FOWLP)

该封装方式是将芯片重构在载片晶圆上，然后再进行塑封，再布线和植球，最后切割成单个封装颗

粒，封装后的尺寸要大于IC芯片的原尺寸。

3.2

再布线层RedistributionLayer（RDL）

是对芯片的焊盘位置进行重新布局，使焊盘满足对凸块最小间距的要求，并使焊盘按照阵列式排布。

3.3

凸块下金属层UnderBumpMetal（UBM）

凸块下金属层是由粘附层、扩散层和浸润层等组成的多层金属膜，主要起到粘附和扩散阻挡的作用。

4晶圆级扇出型封装形式分类和结构代码

4.1结构代码编码定义（FOWLP-RXY）