硅量子点调控MoX2_rGO复合材料的制备及其性能研究.pdf

摘要

能源枯竭与环境污染是当今社会发展过程中亟待解决的问题。近年来，二维过

渡金属硫族化合物（TMDCs）因其较弱的层间相互作用、大的比表面积以及可控

的能带结构，被广泛应用于润滑剂、光电器件、生物传感、催化等领域。二维MoS2

和MoSe作为二维TMDCs中的典型材料，具有较大的带隙、高理论比容量以及元素

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价态多样性的特点，在超级电容器和光催化领域有很好的应用前景，进而为解决能

源和环境问题提供了有效途径。但它们均存在易团聚和导电性差等缺点，因此，本

文采用硅量子点（SiQDs）对其合成进行调控并与还原氧化石墨烯（rGO）复合克

服其存在的缺点。

首先本论文采用硅量子点（SiQDs）辅助水热法合成了二维MoS，通过XRD、

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SEM、Raman以及UV-Vis等测试分析技术，探究了SiQDs对产物形貌、相态等的影

响规律。利用零维SiQDs的表面效应，使其作为形核中心，进而生长得到结晶性好、

形貌均一的MoS纳米花球，有效阻止了片层的团聚。结果表明，SiQDs-MoS包含

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1T和2H相，其花瓣超薄，厚度约10nm，具有丰富的边缘效应。因而表现出强烈的

全光谱吸收能力和对孔雀石绿（MG）优异的光催化降解能力。100min内将浓度为

10mg/L的MG溶液几乎完全降解，降解速率符合一级反应动力学方程，速率常数k

为0.9919min-1，经过5次循环后，催化活性仍能保持90%以上。

其次本论文制备了SiQDs-MoS/rGO和SiQDs-MoSe/rGO两种复合材料，通过

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XRD、SEM、XPS等测试分析技术研究SiQDs对复合材料结构的影响，并推测出

SiQDs对结构的调控机制。结果表明，在MoS的复合材料体系中，SiQDs有助于MoS

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由二维向三维发展，并均匀分散在二维rGO中，进而形成二维三维共存的特殊结构，

表现出优异的电化学性能，0.5A/g的电流密度下比电容为947.5F/g，经过10000次

循环后，比容量仍能保持88.18%。在MoSe的复合材料体系中，SiQDs的加入可以

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克服MoSe与rGO复合之间存在的界面性质较差的不足，形成三维的孔状结构，也

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表现出了优异的电化学性能，1A/g的电流密度下比电容为1148.5F/g，经过10000次

循环后，比容量仍能保持78.91%。两者均可以作为高比容量、高循环稳定性的超级

电容器电极材料。

本论文利用SiQDs辅助水热合成了二维MoX2（S、Se），进而制备了电化学性

能优异的SiQDs-MoX/rGO复合材料，为TMDCs材料的化学合成以及新型光催化

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剂和超级电容器电极材料的制备提供了提供了新思路。

关键词：MoX；SiQDs；光催化剂；超级电容器；复合材料

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Abstract

Energydepletionandenvironmentalpollutionareissuesthatneedtobesolvedin

thecurrentsocialdevelopment.Inrecentyears,two-dimensionaltransitionmetal

chalcogenides(TMDCs)havebeenwidelyusedinlubricants,optoelectronicdevice