新能源汽车电力电子技术项目1.10新能源汽车IGBT驱动技.pptx

新能源汽车电力电子技术

项目1.10新能源汽车IGBT驱动技术;IGBT驱动选型;Conditionsforasafetyoperation;IGBT介绍;

IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

;国内市场需求急剧上升曾使得IGBT市场一度被看好。虽然长期来看，IGBT是一个值得期待的市场，可是到目前为止IGBT的核心技术和产业为大多数欧美IDM半导体厂商所掌控，中国在2014年6月成功研制出8寸IGBT专业芯片，打破国际垄断，但随着国内技术的进步，其发展前景十分被看好。

;电力电子变流器设备通过控制电力电子元器件，将电能从一种形式转变为另一种形式，实现电能转换、提高电能质量、减少电能损耗如变频器、伺服驱动器、光伏逆变器及风电变流器等。IGBT驱动用于驱动、控制和保护IGBT，是电力电子设备实现弱电控制强电的核心器件，直接影响IGBT变流器的整体性能。IGBT驱动的应用广泛、技术门槛高、附加值高。

;驱动电路组成结构;IGBT驱动的分类：

多种分类方式

封装形式、驱动IGBT数量、信号隔离方式、电源隔离方式。

;封装形式分类：

?集成电路/IC?厚膜电路?驱动模块

单路IGBT

?

双路或多路IGBT驱动

?

;信号隔离分类：

光耦隔离型：基本/安全隔离，传输延时大，稳定性高，成本低。

电平移位型（LevelShift）：无隔离的热地连接，传输延时小，需加光耦才能实现基本隔离，又增加了延时。

磁性变压器型：安全隔离，传输延时小，成本高。

光纤隔离型：抗干扰性好，成本高。;IGBT驱动技术要点：

门极电压

开通电压：对饱和电压和短路电流的影响

关断电压：对关断和损耗的影响

IGBT栅极电压设置

栅极电压：开通电压+Vge

对饱和电压的影响Vge↑，Vcesat↓

对短路电流的影响

??Vge↑，Isc↑（tsc↓）

注意：Vge最大允许值±20V

;关于IGBT驱动;IGBT驱动过程中的矛盾;IGBT驱动过程中的矛盾;IGBT驱动过程中的矛盾;IGBT驱动过程中的矛盾;IGBT栅极电压设置

?栅极电压：关断电压-Vge；

?由于米勒电容对栅极的影响，使用0V关断电压时可能会产生误导通现象；

?用-Vge（-9V）使IGBT关断更可靠，有利于防止误开通；

??注意：Vge规格-最大允许值±20V

;门极电阻

对开关能耗和开关特性的影响

选择和配置的注意事项

;IGBT栅极电阻设置

?开通电阻Rg,on对开通影响大

?IGBT的电流尖峰（续流二极管的反向恢复电流）

?Rg,on↑，IC,peak↓

?开通能耗（Eon）

?Rg,on↑，Eon↑

?dV/dt

?Rg,on↑，dV/dt↓

;关断电阻Rg,off对关断影响

?Rg越小,dV/dt↑

VCE,peak↑

关断能耗（Eoff）

?Rg,off↑，Eoff↑

栅极电阻大小的选取，在功耗与干扰两者之间要统筹兼顾。

栅极电阻Rg是驱动中一个非常重要的部分，要综合考虑IGBT损耗/发热，死区时间，开关频率，波形要求等因素选取

功率计算：Pg=IGBT栅极电荷*栅极电压*工作频率=QG*?V*fsw;Thesuitablegatedrivermustprovidetherequired

Gatecharge(QG)–powersupplyofthedrivermustprovidetheaveragepower

Averagecurrent(IoutAV)–powersupply，Isrelatedtothetransformer

Gatepulsecurrent(Ig.pulse)–mostimportant

attheappliedswitchingfrequency(fsw);;Calculationofaveragecurrent:

IoutAV=P/?U?V=+Vg+[-Vg]

withP=E*fsw=QG*?V*fsw=5*Cies*?V2*fsw

?IoutAV=QG*fsw=1390nC*10kHz=13.9mA

在考虑外置的辅助门极电容