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2025-05-18 发布于江苏
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深圳市富满电子集团股份有限公司

SHENZHENFINEMADELECTRONICSGROUPCO.,LTD.

2302(文件编号：SCIC0799)20VN沟道增强型MOS场效应管

VDS=20V

RDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@2.0A=50mΩ@TYP

RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@2.8A=40mΩ@TYP

特点

高级的加工技术

极低的导通电阻高密度的单元设计

SOT-23内部结构示意图

Drain

Gate

Source

最大额定值和热特性(T=25℃，除非另有说明)

参数符号值单位

漏源电压VDS20

栅源电压VGS±8

漏极电流ID3.0

漏极脉冲电流IDM8

TA=25℃1.25

最大功耗PDW

TA=75℃0.8

工作结温和存储温度范围TJ,Tstg-55to150℃

结环热阻（PCB安装）RθJA140℃/W

第1页共3页

深圳市富满电子集团股份有限公司

SHENZHENFINEMADELECTRONICSGROUPCO.,LTD.

2302(文件编号：SCIC0799)20VN沟道增强型MOS场效应管

电特性

参数符号测试条件最小典型最大单位

静电

漏源击穿电压BVDSSVGS=0V,ID=250uA20----

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