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半导体光刻工艺技术基础

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Contents半导体技术光刻技术在IC制造中的作用光刻的工艺流程光刻胶光刻机光源技术改进和新技术

一、半导体技术半导体定义半导体发展历史

半导体定义030201常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）．半导体五大特性∶电阻率特性，导电特性，光电特性，负的电阻率温度特性，整流特性。半导体的应用，按照其制造技术可以分为：集成电路（IC）器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的上升而降低（负电阻率温度特性）。这是半导体现象的首次发现。1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。1839年，法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压--光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。1947年12月由贝尔实验室完成四特性的总结并最终应用。1911年考尼白格和维斯首次定义半导体这个名词。半导体发展历史

何谓集成电路ICIC芯片剖面图光刻设备在IC制造中的作用单层制造流程简述二、光刻技术在IC制造中的作用

IC:用硅的体电阻做电阻，用P-N结形成电容；所有有源和无源器件器件都集合到一个半导体材料上。1958年9月，TI公司的JackS.Kilby第一次将所有元器件（12个元件）都集合到一个的半导体材料上,产生第一块集成电路。2000年度荣获诺贝尔物理学奖。现在，超大规模集成电路，一个芯片可以容纳百万个元件。321何谓IC---集成电路

IC芯片剖面图（多层）N-WellP-WellP+P+N+N+IMD1IMD2M2M1V1MTPAOXPASIONVIAALPadLocal(‘’Nano’’realm)IntermediateGlobalLithoKeylayers:STI、POLY、C.H.、M1图:一个CMOS器件的剖面示意图。

光刻设备在IC制造中的作用

----IC电路单层制造流程简介在wafer（晶圆）预检侧完毕被送到FAB的工艺线上后，先后在wafer表面生长出一层致密的SiO2膜和另外一层Si3N4膜，分别称为PADOxide和Nitride。NitridePADOxideSTI:shallowtrenchisolate浅沟槽隔离工艺

光刻设备在IC制造中的作用

----IC电路单层制造流程简介NitridePRPADOxide然后在两层膜的表面甩上光阻、曝光、显影，进而在wafer表面形成光阻的电路图形。

光刻设备在IC制造中的作用

----IC电路单层制造流程简介NitridePRPADOxide随后进入光阻图形转换至晶圆表面阶段：通过各种刻蚀工艺转换图形至晶圆表面。最后，将作为遮挡层的光阻（PR）剥离。到此第一层工艺完成。

黃光薄膜刻蚀植入光阻去除流程说明图释薄膜(Thin_film)1.化学气相沉积(CVD)2.金屬溅镀(PVD)3.扩散(Diffusion)黃光(PHOTO)1.光罩(MASK)2.光阻(Coater)3.曝光(Exposure)4.显影(Development)刻蚀(ETCH)1.湿蚀刻(Wet-ETCH)2.干蚀刻(DRY-ETCH)光阻去除(PRremove)将光阻去除后就是我們所需的图形(PATTERN)FILMWaferWaferFILMWafer光阻FILMWafer光阻FILMWafer光罩光刻设备在IC制造中的作用

----IC电路单层制造流程简介25~45次litho65nm,45层光刻决定CD

光刻设备在IC制造中的作用由POLY工艺：集成电路的最小线宽决定于光刻设备的分辨率。它定义了半导体器件尺寸。光刻设备是IC制造中的核心设备。。。。Diffusiondepositionimplantetchingplatinglithography

三、光刻的工艺流程光刻关键参数光刻工艺

光刻工艺

光刻工艺流程StandardLithoProcessWaferFlow(1)

StandardLithoProcessWaferFlow(2)PRDeveloping52sPuddle,45sRinseHardBake110oC60SCooling