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第四章半导体二极管

和晶体管§4.1半导体基础知识§4.2半导体二极管§4.3晶体管

§1半导体基础知识

0504020301半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。1、本征半导体、本征半导体

本征半导体导电性：与杂质浓度和温度有关在绝对零度(-273℃)和没有外界影响时，所有价电子都被束缚在共价键内，晶体中没有自由电子，所以半导体不能导电。晶体中无载流子。+14284硅原子（Silicon）+4价电子(ValenceElectron)

1.本征半导体的结构由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。共价键一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。动态平衡

2、本征半导体中的两种载流子两种载流子电子空穴对产生、复合，维持动态平衡。对应的电子空穴浓度称为本征载流子浓度。外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于数目很少，故导电性很差。温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。热力学温度0K时不导电。

、杂质半导体

1.N型半导体磷（P）施主杂质杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。多数载流子

1.P型半导体硼（B）受主杂质多数载流子P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，

、PN结的形成及其单向导电性在电场作用下，半导体中的载流子作定向飘移运动而形成的电流。电子电流空穴电流1漂移电流(DriftCurrent)2扩散电流(DiffusionCurrent)主要取决于该处载流子浓度差（即浓度梯度）。浓度差越大，扩散电流越大，而与该处的浓度值无关。

PN结的形成及其单向导电性扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。P区空穴浓度远高于N区。扩散运动N区自由电子浓度远高于P区。

PN结的形成参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。即扩散过去多少多子，就有多少少子漂移过来漂移运动由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动。

PN结的单向导电性PN结加正向电压导通：耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。

PN结的单向导电性PN结加反向电压截止：耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。

开启电压01反向饱和电流02击穿电压03PN结电流方程

当u比UT大几倍时即呈现指数变化。当u0时,且|u|比UT大几倍时PN结电流方程讨论

PN结的击穿特性当反向电压超过U(BR)后，|u|稍有增加时，反向电流急剧增大，这种现象称为PN结反向击穿(Breakdown)。iu0-U(BR)

轻掺杂?耗尽区较宽?少子动能增大?碰撞中性原子?产生电子、空穴对?连锁反应?产生大量电子、空穴对?反向电流剧增。雪崩击穿(AvalancheMultiplication)PN耗尽区+++++++++++++++外电场

重掺杂?耗尽区很窄?强电场?将中性原子的价电子直接拉出共价键?产生大量电子、空穴对?反向电流增大.齐纳击穿(ZenerBreakdown)PN耗尽区+++++++++++++++外电场

PN结的电容效应1.势垒电容PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。2.扩散电容PN结外加的正向电压变化时，PN结两侧靠近空间电荷区的区域内，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。结电容：

二极管的基本结构01二极管的伏安特性及主要参数024.2二极管

一、二极管的组成将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。稳压二极管小功率二极管01.大功率二极管02.发光二极管03