- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
赛晶亚太半导体科技
(浙江)有限公司
关于我们
关于我们
赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司(简称“赛晶半导体”),是赛晶科技集
团有限公司旗下子公司,专注于IGBT、FRD,以及碳化硅等芯片及模块等
高端功率半导体产品研发、制造的高科技企业;致力于促进能源向更加可
持续、更加绿色方向发展,推动传统的化石能源转化为绿色的电力能源。
研发中心,位于瑞士兰兹伯格。技术研发团队,由来自欧洲及国内顶级
IGBT、SiC设计和制造各个环节的技术专家,在功率半导体领域拥有优秀业
绩和几十年实践经验的行业领导者组成。
制造中心,位于中国浙江省嘉善县。制造中心的一期项目占地2.2万平米,
二期项目占地5万平米,规划建设多条具有国际一流水平的全自动智能IGBT
生产线,以及国内技术中心。
赛晶半导体拥有国内稀缺、国际领先的自主芯片技术。芯片产品采用赛晶
精细沟槽技术、微沟槽技术以及碳化硅(SiC)技术,涵盖中压750、1200V
、1700V三大电压平台。
2
产品
EDSTBEVDEPHEEVEVD
IGBTIGBTIGBTIGBTSiCSiC
1200V/450A1200V/450A1200V/500A1200V/2mΩ1200V/2mΩ
1200V/600A1200V/600A1200V/600A1200V/3mΩ1200V/3mΩ
1200V/750A1200V/800A1200V/4mΩ1200V/4mΩ
1200V/800A
1200V/900A
1700V/450A1700V/450A1700V/200A
1700V/600A1700V/600A1700V/150A
1700V/800A1700V/100A
1700V/75A
3
技术团队
技术团队
我们的技术研发团队,由来自欧洲及国内顶级IGBT、SiC设计和制造等各个环节的技术专家,
及在功率半导体领域拥有优秀业绩和几十年实践经验的行业领导者组成。
瑞士
Roland,SwissSEMCEORaffael,SwissSEMPMandSven,SwissSEMCOO(VP)Lars,SwissSEMChipRD
2000年-2018年,瑞士ABB半导Te
文档评论(0)