半导体照明技术.pptxVIP

半导体照明技术

方志烈教授复旦大学SemiconductorLightingTechnology

1.新世纪光源的研制目标2.人造白光的最佳化（1）发光效率和显色性的折中（2）二基色体系（3）多基色体系3.荧光粉转换白光LED（1）二基色荧光粉转换白光LED（2）多基色荧光粉转换白光LED（3）紫外LED激发多基色荧光粉4.多芯片白光LED（1）二基色多芯片白光LED（2）多基色多芯片白光LED第九讲白光发光二极管

研制白光发光二极管是半导体照明技术的主要目标。替代白炽灯、荧光灯这些白光光源是半导体照明工程的最终目标。人们曾进行过把红外LED的长波发射上转换为宽带可见光谱的尝试，得到过红光、绿光乃至蓝光，但效率太低。也有过有机半导体电致发光的白色发光器件演示，也是效率颇低、寿命太短。白光LED只是在AlInGaN高亮度蓝光LED制成后才成为现实。以短波长LED为基础，发展了由两种或三种颜色混合的白光LED。从实用角度考虑，白光LED的发展目标是高效率和高显色性的结合。第九讲白光发光二极管

1.新世纪光源的研制目标人们对新世纪新光源的要求是高效率、高显色性和环保。照明用白光LED的具体技术性能要求概括如下：发光效率：要求最终达到200lm/W以上。目前实验室水平Ф5LED已达249lm/W，功率LED己达208lm/W，功率LED商品化水平已达130lm/W。显色指数：希望达到100，与太阳光相似。一般要求也在80以上。色温：2500～6000K之间。寿命：50000～100000h。光通量：作为照明光源希望达到1klm以上。环保：从社会的可持续发展要求出发，要求不使用对人体有害、会玷污自然环境的有害物质，如汞、铅、镉等。第九讲白光发光二极管

2.人造白光的最佳化（1）发光效率和显色性的折中照明用的白光光源由白光发射体的两个特征参数表示：发光效率和显色指数。发光效率ηv=ηe·K，辐射效率ηe依赖于器件的能量转换性能，技术不断发展，就会不断的提高。光视效能K仅依赖于光发射体的光谱功率分布（SPD），而与产生发射的手段无关。对于给定的光谱功率分布S（λ），光视效能由下式决定：第九讲白光发光二极管(9-1)

最大效能值在555nm处，为683lm/W。光视效能可以用以任意相对功率单位给出的光谱功率分布来计算。白光LED实际最佳化涉及两个问题：第一个问题和彩色LED相同，即把内量子效率和取光效率最大化，获得最大的发光效率。第二个问题是优化发光体的光谱功率分布，以获得最佳的光视效能和显色指数。01第九讲白光发光二极管02

下面讨论发光体的光谱功率分布优化问题。为了说明这种优化的可能．首先考察连续光谱的光视效能和显色指数。表9-l给出了全范围普朗克谱CLE标准光源A和2个CLE标准光源B、D65等效的修饰普朗克谱（光谱截止到缩小的范围而变窄）的数据。第九讲白光发光二极管12

第九讲白光发光二极管表9-1全范围普朗克谱和修饰普朗克谱辐射附发射的白光特性

图9-13000K黑体辐射（点线）和钨发射体（虚线）的归一化功率分布（实线为人眼光谱灵敏度）第九讲白光发光二极管全范围普朗克谱的Ra=100，但光视效能低，因为光谱分布超出可见光范围，特别是在低色温情况下到红外范围，如图9-1所示。

在可见光范围(380～780nm）的边界上截断得到的假想的修饰普朗克谱有高得多的光谱效能，而显色指数仍为100。进一步修去430nm以下和660nm以上“多余的”范围，使光视效能超过300lm/W，显色指数减小到95，这对于大多数照明应用来说，仍是一个很好的数值。第九讲白光发光二极管

进一步减小视觉灵敏度低的光谱范围中的发射，可使光视效能增高至500lm/W。但是，光视效能这样的改善是以显著降低显色性为代价的。一个普遍的规律是，在一个特定的体系中，光视效能和显色指数在一定程度上是不相容的，需要寻求这两个性能参数间的折中。现在的LED技术提供了相对窄谱线的半导体和荧光粉发射体。这意味着白光只能通过几个固体光源混合得到。白光的色度对应于色度图上的普朗克轨迹或它的近邻，在轨迹线上可以用色温（CT,K）描述。如果光源的色度和普朗克轨迹线不完全相同时，可以通过等温线配色给于光源一个相关色温（CT,K）。第九讲白光发光二极管0102

混色原理表明，无限多种基色光源的组合可用来产生具有所要求色温的光，而且基色光源的数目可以是任意的（≥2）。对于两条谱线（二基色体系）组成的光谱功率分布，光视效能和显色指数间的折中很容易分析，因为光谱含有良好确