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§4.1晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数
一、晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度很低，且很薄面积大晶体管有三个极、三个区、两个PN结。小功率管中功率管大功率管为什么有孔？
二、晶体管的电流放大作用共射极放大电路PNP接法？
扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴的扩散1.内部载流子运动
电流分配：IE＝IB＋ICIE－扩散运动形成的电流IB－复合运动形成的电流IC－漂移运动形成的电流穿透电流集电结反向电流共射直流电流放大系数交流电流放大系数类似：共基电流放大系数α等
晶体管的共射输入特性和输出特性为什么像PN结的伏安特性？为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？为什么UCE增大曲线右移？对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。1.输入特性
2.输出特性对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？饱和区放大区截止区
晶体管的三个工作区域晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流iC几乎仅仅决定于输入回路的电流iB，即可将输出回路等效为电流iB控制的电流源iC。状态uBEiCuCE截止＜UonICEOVCC放大≥UonβiB≥uBE饱和≥Uon＜βiB≤uBE
四、温度对晶体管特性的影响
五、主要参数直流参数：共射直流电流放大系数共基直流电流放大系数极间反向电流集－基极反向饱和电流ICBO：发射极开路，C、B极间加一反向电压时的反向电流。集－射极反向饱和电流ICEO（穿透电流）：基极开路，C、E间加一反向电压时的反向电流，又称穿透电流。ICEO＝ICBO（1＋β）二者都是衡量BJT质量的重要参数。
交流参数：特征频率（截止频率）fT：使β＝1的信号频率共射交流电流放大系数共基交流电流放大系数通常取极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO集电极最大允许电流ICM：β下降到额定值的2/3时的集电极电流集电极最大允许耗散功率PCM：集电结上允许损耗功率的最大值。PC＝ICUCE
安全工作区反向击穿电压：三极管的各个电极所允许加的最大反向电压。U（BR）CEO：集－射极反向击穿电压U（BR）CBO：集－基极反向击穿电压U（BR）EBO：射－基极反向击穿电压
讨论一由图示特性求出PCM、ICM、U（BR）CEO、β。2.7uCE=1V时的iC就是ICMU（BR）CEO
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