场效应晶体管深入.pptxVIP

第六章MOS场效应晶体管：概念的深入6.1非理想效应6.1.1亚阈值电导6.1.2沟道长度调制效应6.1.3迁移率的变化6.1.4速度饱和6.1.5弹道输运6.2MOSFET按比例缩小理论6.2.1恒定电场缩小6.2.2阈值电压（一级近似）6.2.3全部按比例缩小理论6.3阈值电压的修正6.3.1短沟道效应6.3.2窄沟道效应6.4附加电学特性*6.4.1击穿电压6.4.2轻掺杂漏晶体管6.4.3离子注入阈值调整6.5结型场效应晶体管*6.5.1JFET概念6.5.2JFET工作原理6.5.3JFET电流-电压特性6.6高电子迁移率晶体管*6.6.1量子阱结构6.6.2晶体管性能

非理想效应亚阈值电导理想和实际电流电压特性弱反型时的能带图

6.1.1亚阈值电导n沟道MOSFET堆积模式弱反型模式反型模式

6.1.2沟道长度调制效应漏电流反比于沟道长度沟道长度受漏源电压调制

6.1.3迁移率的变化迁移率随栅压变化（速度饱和）沟道中载流子的表面散射

6.1.4速度饱和增大电场载流子速度将达饱和短沟道器件速度饱和效应更显著

6.1.5弹道输运长沟道表面散射短沟道弹道输运沟道长度小于碰撞自由程：（亚微米）

MOSFET按比例缩小理论01恒定电场缩小02器件尺寸和电压等比例缩小；03电场（水平和垂直）保持不变。04初始NMOS晶体管05缩小后的NMOS晶体管06漏极耗尽07区宽度08单位沟道09宽度漏电流10

6.2.1恒定电场缩小器件尺寸缩小；电场和功率密度不变。器件电流、电压和功耗缩小；器件响应速度提高。

阈值电压（一级近似）0102阈值电压不按比例因子缩小阈值电压（NMOS）平带电压不按比例因子缩小最大耗尽区电荷

6.2.3全部按比例缩小理论恒定电场按比例缩小的问题：提高电场带来的问题：解决办法：阈值电压不按比例因子缩小亚阈值电流不按比例因子缩小外加电压将降低功率密度增大温度升高，可靠性降低氧化层的绝缘性下降（击穿、隧穿、热电子效应）增加电场，提高电压全部按比例缩小解决办法：

阈值电压的修正短沟道效应长沟道器件短沟道器件

6.3.1短沟道效应长沟道器件—耗尽区电荷全部受栅压控制添加标题短沟道器件—受栅压控制的电荷减少添加标题受栅压控制的电荷减少将导致阈值电压的变化添加标题

窄沟道效应沟道边缘有受栅压控制的附加电荷区附加的空间电荷将导致阈值电压的变化修正因子

6.4附加电学特性*栅氧化层击穿沟道雪崩击穿寄生晶体管击穿漏源穿通效应DCAB场效应晶体管的击穿：

6.5结型场效应晶体管*JFET概念电导调制多数载流子工作单极晶体管01pn结JFETn沟道JFETp沟道JFETn沟道比p沟道工作频率高02

6.5结型场效应晶体管*JFET工作原理：低漏源电压沟道相当于电阻；漏电压增加，空间电荷区扩展，沟道电阻增大；空间电荷区扩展到整个沟道夹断，电流饱和。

二维电子气：来自高掺杂半导体区域；位于低掺杂半导体区域；降低了杂质散射；增大了电子迁移率。高电子迁移率晶体管*量子阱结构

高电子迁移率晶体管*量子阱结构多层膜结构：增加沟道电子层；增加沟道电子密度；增强FET负载能力。

6.6.2晶体管性能HEMT的优点：高运行速度；低能量损耗；低噪声；截至频率高达100GHz。