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AlGaN/GaN异质结构的MOCVD同质外延生长：工艺、特性与应用的深入探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域不断演进的进程中，AlGaN/GaN异质结构凭借其卓越特性，成为了研究的焦点与前沿。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的杰出代表，拥有宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率以及高热导率等一系列优异属性。在其基础上构建的AlGaN/GaN异质结构，通过巧妙调节AlGaN层的铝组分，能够实现对能带结构的精确调控，进而衍生出诸多独特且优越的物理性质。这些特性使得AlGaN/GaN异质结构在高频、高功率以及高温等极端条件下展现出强大的应用潜力。

从高频领域来看，基于