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新型高密度等离子体产生装置的研制与电磁波衰减应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，等离子体技术在众多领域展现出了巨大的应用潜力，从材料表面改性、半导体设备制造到环境保护，甚至在目标隐身、雷达通讯等军事航空领域，等离子体技术的应用已成为研究热点。其中，高密度等离子体因其独特的物理性质，在电磁波衰减方面具有显著优势，对其产生装置的研究与开发也因此备受关注。

目前，常见的等离子体产生装置如射频容性耦合等离子体源（CCP）、微波电子回旋共振等离子体源和射频感性耦合等离子体源（ICP）等，虽各有特点，但也存在明显的局限性。CCP源无法对等离子体密度和入射到晶片上的离子能