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碳化硅辐射探测器前端专用集成电路的研究

摘要

以SiC探测器为代表的第三代半导体辐射探测器具有较高的探测精度、较低的噪声

水平和较高的辐射抗损伤能力,因此在核能、宇宙航天、医疗、工业以及核安全检测等

领域拥有非常广阔的应用前景。然而SiC探测器输出的电流信号非常微弱,需要专用前

端读出电路对其信号进行放大、降低噪声和整形得到可测量的量级才能进行数字化处理,

并保证信号的能量范围、时间信息不丢失,不受噪声的影响,基于以上需求,本文针对

沟槽型SiC中子探测器输出的极窄脉冲微弱电流信号,设计并实现了应用于SiC探测器

系统的前端读出专用集成电路。完成的主要研究工作如下:

首先,读出与处理技术对辐射探测器的性能有着重要影响,因此本文研究了辐射探

测器信号读出与处理技术,确定和完成了前端读出电路的主要模块的电路设计,分别对

每一个模块进行了详细的原理分析。针对沟槽型SiC中子探测器输出的微弱电流窄脉冲

信号等特点,首先采用低噪声电荷灵敏前置放大器将电荷信号转换成电压信号,满足低

噪声以及快速响应要求。同时,采用高阻抗电路代替传统的电荷泄放模块,相比传统模

块具有版图面积小和线性度高的特点。之后由滤波成形电路、甄别器和峰值保持电路,

降低整体脉冲宽度,展宽峰值宽度,确保得到信号的能量信息和时间信息。

其次,完成了电荷灵敏放大器的体硅工艺抗高温电路设计和FDSOI工艺下的高温

电路设计。针对体硅工艺在高温环境下的性能下降甚至器件失效的情况,提出了MOS

管二极管接法作为泄露电流补偿二极管,相较于普通二极管,版图设计更加合理,参数

设计简单。根据零温度系数点偏置电压理论,采用迭代设计方法,完成了体硅工艺的抗

高温电路设计。针对SOI工艺良好的抗高温性能,完成了SOI工艺下的电荷灵敏放大器

设计以及与体硅工艺在210℃高温下的性能对比。

最终采用0.18μm工艺,完成了前端读出整体电路的版图设计,提出注重电荷灵敏

放大器的版图设计。最终四通道和测试通道版图面积为1.12mm×1.5mm。后仿真结果表

明,等效输入电荷范围1.14fC~22.35fC,电荷转换增益为71.19mV/fC,达峰时间为74ns,

非线性误差控制在1.6%以内,等效噪声电荷为54e-。本文读出电路达到了设计要求,具

有低噪声高线性度的特点,能够对SiC沟槽型中子探测器的输出信号进行专用的读出和

放大。

关键词:SiC中子探测器;电荷灵敏放大器;读出专用集成电路;高温电路

碳化硅辐射探测器前端专用集成电路的研究

Abstract

Thethird-generationsemiconductorradiationdetectorsrepresentedbySiCdetectorshave

highdetectionaccuracy,lownoiselevelandhighradiationdamageresistance.Therefore,they

haveverybroadapplicationprospectsinnuclearenergy,aerospace,medical,industrialand

nuclearsafetydetection.However,thecurrentsignaloutputbytheSiCdetectorisveryweak.

Itrequiresadedicatedfront-endreadoutcircuittoamplifythesignal,reducethenoiseandshape

ittoobtainameasurableorderofmagnitudefordigitalprocessing,andensurethattheenergy

rangeandtimeinformationofthesignalarenotlostandarenotaffectedbynoise.Basedonthe

aboverequirements,thispaperdesignsandimpleme

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