T/CIE 119-2021半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序.pdf

ICS31.080.01

CCSL40

团体标准

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TCIE1192021

半导体器件大气中子单粒子效应

试验方法与程序

Testmethodandrocedureofatmosheric-neutroninducedsinle

ppg

eventeffectsinsemiconductordevices

2021-11-22发布2022-02-01实施

中国电子学会发布

中国标准出版社出版

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TCIE1192021

目次

前言…………………………Ⅰ

引言…………………………Ⅱ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4一般要求…………………2

4.1辐射源提供单位……………………2

4.2辐射安全和辐射防护………………2

4.3试验人员……………2

4.4仪器与设备…………………………2

4.5试验环境……………3

4.6位移效应的影响……………………3

4.7不确定性分析………………………3

5试验方法…………………3

5.1试验目的……………3

5.2试验原理……………3

5.3辐射源………………3

5.3.1散裂中子源……………………3

5.3.2中子注量率……………………4

5.3.3中子注量………………………4

5.3.4中子入射角度…………………4

5.3.5中子射程………………………4

5.3.6束斑面积………………………4

5.4束流测量系统………………………4

5.5单粒子效应测试系统………………