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第二章异质结
2–1异质结及其能带图①异质结:两种禁带宽度不同的半导体材料，通过一定的生长方法所形成的结。突变结按电荷分布②分缓变结类同型异质结p-P,n-N按掺杂类型异型异质结p-N,n-P
能带图界面上静电场是不连续的；功函数Φ；电子亲和势X
p-n结p-n:n型和p型样占接触在一起p-n结。n区电子向p区扩散→n区剩下电离施主，形成带正电荷区。p区孔穴向n区扩散→p区剩下电离受主，形成带负电荷区。加正向偏压时，外加电场与内建电场方向相反，空间电荷相应减少，势垒区宽度减少，扩散运动超过了漂移运动，载流子扩散运动超过了漂移运动→成为正向电流。
→n区电子进入p区成为p区非平衡少数载流子。→非平衡少数载流子的电注入。扩散过程中与多子相遇而不断复合→一个扩散长度后复合完毕。
一.pN异型异质结由电子型半导体中电离施主和空穴型半导体受主组成。
二.突变同型异质结nN,pP1.同型异质结由多数载流子相互扩散形成空间电荷区2.同型异质结性质由多数载流子决定3.同型异质结材料费米能级有差别→扩散4.Eg:X:Φ:F:不同，能带不同
三.缓变异质结能带不连续性小时，尖峰、尖谷淡化在外加电场作用下，缓变结与突变结有相同的性质，、随变化有一定的关系
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