半导体物理第二章能带和载流子.pptVIP

*载流子浓度乘积公式：特点：对一定的半导体材料，乘积n0p0是一定的。换言之，当半导体处于热平衡状态时，载流子浓度的乘积保持恒定，如果电子浓度增加，空穴浓度就要减少，反之亦然。适用：热平衡状态下的非简并半导体第30页，共49页，星期日，2025年，2月5日*本征载流子浓度：式中，Eg=Ec-Ev本征费米能级Ei第31页，共49页，星期日，2025年，2月5日*表3300K下锗、硅、砷化镓的本征载流子浓度各项参数Eg(ev)mn*(mdn)mp*(mdp)Nc(cm-3)Nv(cm-3)ni(cm-3)计算值ni(cm-3)测量值Ge0.670.56m00.37m01.05x10195.7x10182.0x10132.4x1013Si1.121.08m00.59m02.86x10192.66x10197.8x1099.65x109GaAs1.420.068m00.47m04.7x10177x10182.3x1062.25x106第32页，共49页，星期日，2025年，2月5日*§2.7施主与受主非本征半导体施主与受主多子与少子非简并半导体简并半导体第33页，共49页，星期日，2025年，2月5日*施主与受主替位式杂质与间隙式杂质施主杂质与施主能级受主杂质与受主能级第34页，共49页，星期日，2025年，2月5日*间隙式杂质、替位式杂质(b)替位式扩散(substitutional)间隙式杂质：O,Fe,Ni,Zn,Mg替位式杂质P，B，As,Al,Ga,Sb,Ge(a)间隙式扩散(interstitial)杂质原子比较小杂质原子和被取代的晶格原子大小相近，价电子壳层结构相近。第35页，共49页，星期日，2025年，2月5日*第1页，共49页，星期日，2025年，2月5日*§2.1半导体材料固体材料：绝缘体、半导体和导体半导体易受温度、光照、磁场及微量杂质原子影响元素半导体：硅、锗化合物半导体：二元、三元、四元化合物GaAs、InP、AlxGa1-xAs、Gaxln1-xAsyP1-y第2页，共49页，星期日，2025年，2月5日*§2.2基本晶体结构基本立方晶体单胞金刚石结构闪锌矿结构金刚石结构和闪锌矿结构的区别第3页，共49页，星期日，2025年，2月5日*金刚石晶格结构Si,Ge,C等IV族元素，原子的最外层有四个价电子正四面体结构：每个原子周围有四个最近邻的原子。第4页，共49页，星期日，2025年，2月5日*金刚石晶格结构：复式晶格。由两个面心立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开1/4长度套构而成。排列方式以双原子层ABCABCSiGeGaAs5.430895.657545.64195X10224.42X1022晶格常数a(?)原子密度晶格常数第5页，共49页，星期日，2025年，2月5日*（111）（111）第6页，共49页，星期日，2025年，2月5日*晶格由两种不同原子组成的面心立方晶格套构而成。双原子复式格子III－V族化合物，每个原子被四个异族原子包围。共价键中有一定的离子性，称为极性半导体。闪锌矿晶格结构(ZincblendeStructure),GaAs,InP第7页，共49页，星期日，2025年，2月5日*金刚石结构和闪锌矿结构的区别不同：前者由两种相同的原子组成，后者由两类不同的原子组成。相同：都由两面心立方晶格，沿空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。第8页，共49页，星期日，2025年，2月5日*§2.3基本晶体生长技术硅晶体、95%（目前半导体材料）原始材料：石英岩（高纯度硅砂SiO2）步骤：1、SiC+SiO2—Si+SiO+CO2、Si+3HCl—SiHCl3+H23、SiHCl3+H2—Si+3HCl多晶硅4、拉单晶：柴可拉斯基法第9页，共49页，星期日，2025年，2月5日*第10页，共49页，星期日，2025年，2月5日*§2.4共价键金刚石晶格结构：共价键闪锌矿晶格结构：共价键但存在微量离子键成分本征激发或热激发：电子与空穴见Flash第11页，共49页，星期日，2025年，2月5日*§2.5能带电子共有化运动原子能级分裂成能带绝缘体、半导体、导体的能