半导体薄膜技术与物理.pptxVIP

荷能粒子：离子

(易于在电磁场中加速或偏转)

伴随着离子轰击固体表面的各种现象(右图):

1)大部分中性粒子(成膜)

2)二次电子(辉光放电)

3)少部分二次离子

4)气体解吸、加热等其他现象

95%的离子能量作为热量损耗掉

5%的能量传递给二次发射的粒子

2.3溅射(Sputtering)

2.3.1溅射的基本原理

荷能粒子轰击固体表面(靶材),固体原子或分子获得入射粒子的部分能量，而从固体表面射出的现象称为溅射

中性粒子

正离子

负离子

电子

光子

气体解吸

溅射粒子返回表面形貌变化

溅射的中性粒子：二次电子：二次离子=100:10:1

入射离子反射

固体表面

O0

结晶变化

离子注入

结构损伤/

入射离子

O扩散

加热

1

0

-20-16-12-8-40

电流密度log[I(A/cm²)]

直流辉光放电过程的形成

VB:击穿电压

异常放电区

正常放电区

弧光放电区

P=1mbar(Ne)

汤姆森放电区

VB

1200

800

400

电压(V)

2

气体辉光放电

溅射区域：均匀稳定的“异常辉光放电”

当离子轰击覆盖整个阴极表面后，继续增加电源功率，可同时提高放电区的

电压和电流密度，溅射电压U,电流密度j和气压P遵守以下关系：

E和F取决于电极材料，是几何尺寸和气体成分的常数

3

j0.1A/cm²,U↓→j个(弧光放电)

气压P太低，两极间距太小：

没有足够的气体分子被碰撞产生离子和二次电子，辉光放电熄灭气压P太高：

二次电子因多次被碰撞而得不到加速，也不能产生辉光放电

弧光放电区：

U个→阴极强电场个→暗区收缩↓

d。:暗区厚度

A、B为常数

4

溅射过程的机理解释：

(1)离子轰击局部瞬时加热而蒸发(因与实验观察不符而被否定)

(2)动量理论(级联碰撞理论)

离子撞击在靶上，把一部分动量传递给靶原子，如果原子获得的动能

大于升华热，那么它就脱离点阵而射出。

(研究溅射的基础)

5

2.3.2溅射阈和溅射率

溅射阈：

入射离子使阴极靶产生溅射所需的最小能量

溅射阈与离子质量之间并无明显的依赖关系

主要取决于靶材料

周期中随着原子序数增加而减小

对大多数金属来说：

溅射阈为10-40eV,约为4-5倍升华热

6

金属

Ne

Ar

Kr

Xe

Hg

升华热(eV)

Be

12

15

15

15

一

一

Al

13

13

15

18

18

一

Ti

22

20

17

18

25

4.40

V

21

23

25

28

25

5.28

Cr

22

22

18

20

23

4.03

Fe

22

20

25

23

25

4.12

Co

20

25

22

22

一

4.40

Ni

23

21

25

20

一

4.41

Cu

17

17

16

15

20

3.53

Ge

23

25

22

18

25

4.07

Zr

23

22

18

25

30

6.14

Nb

27

25

26

32

一

7.71

Mo

24

24

28

27

32

6.15

Rh

25

24

25

25

一

5.98

Pd

20

20

20

15

20

4.08

Ag

12

15

15

17

一

3.35

Ta

25

26

30

30

30

8.02

W

35

33

30

30

30

8.80

Re

35

35

25

30

35

一

Pt

27

25

22

22

25

5.60

Au

20

20

20

18

一

3.90

Th

20

24

25

25

一

7.07

U

20

23

25

22

27

9.57

一些金属的溅射阈(eV)

7

溅射率(又称溅射产额):正离子撞击阴极时，平均每个正离子能从阴

极上打出的原子数

影响因素：入射粒子的类型(离化气体)、能量、角度、靶材的类型、

晶格结构、表面状态、升华热等

单晶材料的溅射率还与表面晶向有关，在最密排方向上的溅射率最高

4mm/(m₁+mA)²称为传递系数，表示入射离子和靶原子质量对动量传递的贡献

当m₁=m时，传递系数为1,入射能量全部传递给靶原子

E:入射粒子能量

E₀:升华热(eV)

m₁:入射粒子质量

mA:靶材原子的质量

r:~m/m,函数

4m,mAE

·r

I

m₁+mAE

8

溅射率与入射离子能量的关系

150eV:平方关系

150~1000eV:正比关系

10³~10⁴eV:趋于饱和

10⁴eV:下降(注入增加)

溅射率与离子入射角的典型关系

0~60°:单调增加

70~