电力电子器件及其应用技术.pptxVIP

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2025-06-01 发布于四川
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电力电子器件及其应用技术.pptx

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3-1功率二极管013-;分类;发展历程;电力电子器件的研发主流－－Si;■理论上，通态比电阻同比硅MO;200410010203040506070;15kVSiC功率MOS与;问题与展望：碳化硅不仅能提高;§3-1功率二极管静态特;开通过程：正向恢复时间由U;PD的分类普通PD★普通;无标题;结构★三重扩散台面型结构;类型单管：β=10~15;GTR的特性静态特性：准饱;动态特性：t1—延迟时间;§3-3功率场效应晶体管;1电压控制，输入阻抗高。2;功率MOSFET的结构与电路模;PMOSFET的特性饱和区;★转移特性★饱和区的电;★通态电阻特性临界饱和;动态特性：t1—开通延迟;★极间电容特性输入电容（;？密勒效应★栅极电荷特性;栅极电荷特性电路运行条件的影响;★栅极电荷特性S1:开通;★安全工作区耐压限制;★安全工作区结-壳稳态热;无标题;§3-4绝缘栅双极晶体管;IGBT的特性静态特性：;动态特性：拖尾电流MOS已经;★IGBT的擎住（Latch;IGBT的通态特性;最大连续电流IC最大脉冲;IGBT短路状态的失效机理;基本要求：Ic较大时，增;基本驱动电路☆D1：UB;EXB356：150A/600;PMOSFETIGBT;IR2110、2235集成驱动;EXB840/841高速型厚膜;M57962AL厚膜驱动电路（;M57962AL应用电路（双电;无标题;无标题;§3-6开关器件应力与缓冲;开关损耗与器件应力每周期损耗;容性负载开通过程感性负载关断过;有损缓冲电路（Buck例）无;RCD关断缓冲电路①临界电;RCD关断缓冲电路由②大电;RCD关断缓冲电路③小电容;★关断损耗α1时最小最小值;★电容参数在最小导通时间内C;RLD开通缓冲电路L≈恒流源，;RLD开通缓冲电路临界电感缓冲;复合缓冲电路;应用实例：;无标题;无标题;无标题;无标题;无标题;无损缓冲电路有损缓冲电路由S;无损关断缓冲电路与RCD并联缓;无损关断缓冲电路开通过程Ui、;无损关断缓冲电路另一种形式自行;无损开通缓冲电路N2不能过小★;应用实例：ZCon+ZV;变压器隔离变换器的缓冲电路关断;变压器隔离缓冲电路参数选取：★;小结