基于AFM的单层二硫化钼力学性质测量方法：比较与洞察.docx

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2025-06-02 发布于上海
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基于AFM的单层二硫化钼力学性质测量方法：比较与洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

随着纳米科技的飞速发展，二维材料因其独特的原子结构和优异的物理性质，成为了材料科学领域的研究热点。单层二硫化钼（MoS?）作为一种典型的二维过渡金属硫化物，具有原子级的厚度、合适的直接带隙（约1.8eV）、较高的载流子迁移率以及良好的机械柔韧性，在电子学、能源、传感器、催化等众多领域展现出了巨大的应用潜力。

在电子学领域，由于硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）技术逐渐接近其物理极限，如进一步缩小器件尺寸会导致栅控能力减弱以及迁移率显著下降等问题，二维材料被视为新一代沟道材料的有力候选者。单层MoS