碳化硅晶体基透明电极垂直型光导开关器件：制备工艺与性能优化的深度探究.docx

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2025-06-03 发布于上海
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碳化硅晶体基透明电极垂直型光导开关器件：制备工艺与性能优化的深度探究.docx

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碳化硅晶体基透明电极垂直型光导开关器件：制备工艺与性能优化的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在光电器件飞速发展的当下，碳化硅晶体基透明电极垂直型光导开关器件凭借其独特的性能优势，在众多领域展现出巨大的应用潜力，逐渐成为研究的焦点。

碳化硅（SiC）作为一种宽带隙半导体材料，具备诸多优异特性。其热稳定性高，能够在高温环境下保持稳定的性能，这使得基于碳化硅的器件可以在极端条件下工作，拓宽了应用场景。高机械强度和高硬度赋予碳化硅器件良好的物理稳定性，不易受到外界物理因素的干扰和破坏，有助于提高器件的可靠性和使用寿命。同时，碳化硅还拥有高电子迁移率，这意味着电子在其中能够快速移动，从而使