基于高功率脉冲磁控溅射的纳米孪晶铜薄膜制备研究.pdfVIP

摘要

摘要

纳米孪晶结构能够在保持良好导电性和热稳定性的同时，强化材料的力学

性能，不仅在集成电路与微机电等领域具有研究和应用前景，同时纳米孪晶界

也被发现能够作为辐照缺陷阱，减弱辐照损伤而在辐照领域引起了广泛关注。

与普通直流磁控溅射技术(DCMS)相比，高功率脉冲磁控溅射技术(HIPIMS)引

入了更多的电源参数，其高度离化的等离子体更有利于控制沉积离子的行为。

基于此，本课题通过HiPIMS技术制备纳米孪晶铜薄膜，并得出了不同工艺参

数对腔内等离子体状态以及薄膜生长与性能的影响。探究了HiPIMS高功率与

低功率下沉积的Cu薄膜的微观结构与力学性能，制备出高硬度的纳米孪晶Cu

薄膜。

利用示波器、四通道光谱仪、朗缪尔探针等手段，对不同峰值电压、脉冲

频率和脉宽下的HiPIMS铜靶放电行为及等离子参数变化趋势进行了表征分析。

其中，铜靶放电的靶电流波形随峰值电压的升高而明显改变，其峰值电流明显

升高，电流的升速明显加快；脉冲频率的变化对于靶电流的波形影响却不大；

脉宽增加将导致靶电流的平台电流区显著延长。当平均功率增加的时候，等,

离子的密度呈现上升的趋势，同时电子温度呈现下降的趋势。HiPIMS与

DCMS相比，其整体的等离子体密度与电子温度均更高。

探究了不同工艺参数下薄膜的结构与性能的变化。当电源参数增加时，薄

膜表面均出现较明显的晶粒粗化现象，面外(111)择优取向增强，并普遍伴随

硬度的降低；相近平均功率下，HiPIMS相比DCMS制备的薄膜更加致密，力

XRDSEMAFMFIBTEM

学性能更好。利用、、、、和纳米压痕等手段对纳米

孪晶铜薄膜的微观结构和力学性能进行了表征分析。低功率组薄膜具有较低的

面外(111)择优取向，表面平坦，其硬度达到了3.78GPa的高硬度值，在其内

部晶粒中观测到纳米孪晶结构；高功率组薄膜具有较强的面外(111)择优取向

和较弱的面内(111)择优取向，其表面呈现粗糙的大颗粒，其硬度达到了2.97

GPa，为利用高功率脉冲磁控溅射制备纳米孪晶铜薄膜提供了一定的理论基础。

关键词：高功率脉冲磁控溅射；纳米孪晶铜；生长孪晶；等离子体

--I

Abstract

ABSTRACT

Nanotwinscanstrengththemechanicalpropertiesofmaterialswhile

maintaininggoodelectricalconductivityandthermalstability,whichhas

researchandapplicationprospectsinthefieldsofintegratedcircuitsandMEMs.

Twinboundariescanalsoactasirradiationdefectstrapstoattenuateirradiation

damage,whichhasattractedextensiveattentioninthefieldofirradiation

resistantmaterialsynthesis.Comparedwithdirectcurrentmagnetronsputtering

(DCMS),highpowerimpulsemagnetronsputtering(HiPIMS)introducesmore

powerparameters,anditshighlyionizedplasmaismoreconducivetothe

controlofthedepositionionbehavior.Basedonthis,nanotwinedcopperthin

filmswerepreparedbyHiPIMS,andtheeffectsofdepositionparamete