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1+X集成电路理论习题库（含参考答案）

一、单选题（共39题，每题1分，共39分）

1.{下国所示的内盘是（）的内盘。}

A、料盘

B、料管

C、编带

D、以上都是

正确答案：A

答案解析：该图所示示的内盒从上往是料盘的内盒.

2.正常工作时风淋室内无人时，外部的（）指示灯亮起。

A、红色

B、黄色

C、绿色

D、蓝色

正确答案：C

答案解析：风淋室内无人时，外部的绿色指示灯亮起，进入风淋室后关门，风淋室自动落锁，外部指示灯变为红色，风淋开始。

3.完善的精馏技术可将杂质总量降低到()量级。

A、10-2~10-5

B、10-5~10-7

C、10-7~10-10

D、10-17~10-20

正确答案：C

答案解析：提纯四氯化硅通常使用精馏法。完善的精馏技术可将杂质总量降低到10-7~10-10量级。

4.下列描述错误的是（）。

A、重力式分选机可分为并行测试和串行测试

B、并行测试一般是进行单项测试（可根据测试卡的数量进行1site/2sites/4sites测试），适用于普通DIP/SOP封装的芯片

C、串行测试一般是进行多项测试，适用于DIP24/DIP27等模块电路

D、并行测试时模块电路依次进行不同电特性参数的测试

正确答案：D

5.使用重力式分选机进行模块电路的串行测试时，假设A，B轨道测试合格，C轨道测试不合格，芯片移动的路线是（）。

A、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C测试轨道→分选梭3→D合格轨道→分选梭4→不良品料管；

B、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C不合格轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管；

C、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C不合格轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管

D、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C测试轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管

正确答案：D

6.编带过程中，在进行热封处理后，需要进行()环节。

A、芯片放入载带

B、密封

C、编带收料

D、光检

正确答案：C

答案解析：转塔式分选机进行编带的步骤是：芯片光检→载带移动→热封处理→编带收料→清料。

7.单晶硅生长完成后，需要进行质量检验，其中四探针法可以测量单晶硅的（）参数。

A、电阻率

B、直径

C、少数载流子寿命

D、导电类型

正确答案：A

8.切筋成型工序中，设备在完成模具内的切筋与成型步骤后，下一步是（）。

A、装料

B、人工目检

C、下料

D、核对数量

正确答案：C

9.()即方形扁平无引脚封装，表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。封装四侧配置有电极触点。

A、QFN

B、QFP

C、LGA

D、DIP

正确答案：A

答案解析：QFN即方形扁平无引脚封装，表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。

10.LK32T102单片机工作频率最高支持（）。

A、144MHz

B、18MHz

C、72MHz

D、36MHz

正确答案：C

11.通常一个花篮中最多装（）片晶圆。

A、15

B、30

C、25

D、20

正确答案：C

12.晶向为111、8英寸P型半导体材料的定位方式是沿着硅锭长度方向研磨出()。

A、一个基准面

B、两个基准面且呈45度角

C、两个基准面且呈90度角

D、定位槽

正确答案：D

答案解析：8英寸的晶圆直径为200mm，当硅片直径等于或大于200mm时，往往不再研磨基准面，而是沿着晶锭长度方向磨出一小沟作为定位槽。

13.使用重力式分选机设备进行芯片检测，当遇到料管卡料时，设备会()。

A、继续操作

B、会自动处理

C、停止运行并报警

D、只进行报警

正确答案：C

答案解析：重力式分选机进行芯片检测时，如果遇到料管满管或者卡料时，会出现设备自动停测并报警提示。

14.激光打标文本内容和格式设置好之后，需要（）。

A、选择打标文档

B、点击保存按钮

C、点击开始打标按钮

D、调整光具位置

正确答案：B

答案解析：打标文本内容编辑好后点击“保存”即可，然后开始调整光具位置准备打标。

15.芯片检测工艺中，进行管装包装时，将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后，需要在内盒的封口边（）处贴上“合格”标签。

A、中央

B、任意位置

C、右侧

D、左侧

正确答案：A

16.若进行打点的晶圆规格为5英寸，应选择的墨盒规格为？（）

A、8mil

B、5mil

C、10mil

D、30mil

正确答案：B

17.晶圆检测工艺中，导片结束后，需要进行()操作。

A、加温、扎针调试

B、上片

C、外检

D、扎针测试

正确答案：B

答案解析：晶圆检测工艺流程：导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。

18.当芯片移动