探秘层厚对BPMoS₂异质结超快电荷转移的调控机制：理论与实践洞察.docxVIP

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2025-06-06 发布于上海
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探秘层厚对BPMoS₂异质结超快电荷转移的调控机制：理论与实践洞察.docx

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探秘层厚对BPMoS?异质结超快电荷转移的调控机制：理论与实践洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子学领域，随着对高性能、小型化器件需求的不断增长，新型材料及异质结构的研究成为了关键热点。其中，二维材料因其独特的原子结构和优异的物理性质，展现出了巨大的应用潜力，吸引了众多科研人员的目光。黑磷（BP）和二硫化钼（MoS?）作为典型的二维材料，各自具备卓越的特性。黑磷拥有直接带隙，且带隙值可在一定范围内随层数变化而调控，这一特性使其在电子学和光电子学领域极具应用价值。而MoS?同样具有出色的电学和光学性能，例如其在单层状态下拥有直接带隙，在光电器件应用中表现突出。

当将黑磷（BP）