2026高考物理复习讲义 第3讲 微专题 磁聚焦与磁发散.pdfVIP

磁聚焦与磁发散

1．带电粒子的聚焦

如图甲所示，大量同种带正电的粒子，速度大小相等，水平平行入射到圆形磁场区域，如果

轨迹圆半径与磁场圆半径相等(r＝R)，则所有的带电粒子将从磁场圆的最低点B点射出。(聚

焦)

证明：四边形OAO′B为菱形，对边平行，OB必平行于AO′(即竖直方向)，可知从A点入射

的带电粒子必然经过B点。

2．带电粒子的发散

如图乙所示，圆形磁场区域的磁感应强度为B，圆心为O，从最高点P点有大量质量为m、

电荷量为q的正粒子，以大小相等的速度v沿不同方向射入有界磁场，不计粒子的重力，如

果正粒子轨迹圆半径与磁场圆半径相等，则所有粒子射出磁场的方向平行。(发散)

证明：所有粒子运动轨迹的圆心与磁场圆圆心O、入射点、出射点的连线为菱形，由几何知

识可知OA、OB、OC均平行于PO，则出射速度方向相同(即水平方向)。

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例(2021·湖南高考)带电粒子流的磁聚焦和磁控束是薄膜材料制备的关键技术之一。带电粒

子流(每个粒子的质量为m、电荷量为＋q)以初速度垂直进入磁场，不计重力及带电粒子之

v

间的相互作用。对处在xOy平面内的粒子，求解以下问题。

(1)如图a，宽度为2r的带电粒子流沿x轴正方向射入圆心为A(0，r)、半径为r的圆形匀强

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磁场中，若带电粒子流经过磁场后都汇聚到坐标原点O，求该磁场磁感应强度B的大小；

1

(2)如图a，虚线框为边长等于2r的正方形，其几何中心位于C(0，－r)。在虚线框内设计一

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个区域面积最小的匀强磁场，使汇聚到O点的带电粒子流经过该区域后宽度变为2r，并沿x

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轴正方向射出。求该磁场磁感应强度B的大小和方向，以及该磁场区域的面积(无需写出面

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积最小的证明过程)；

(3)如图b，虚线框Ⅰ和Ⅱ均为边长等于r的正方形，虚线框Ⅲ和Ⅳ均为边长等于r的正方形。

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在Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ中分别设计一个区域面积最小的匀强磁场，使宽度为2r的带电粒子流沿x

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轴正方向射入Ⅰ和Ⅱ后汇聚到坐标原点O，再经过Ⅲ和Ⅳ后宽度变为2r，并沿x轴正方向射

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出，从而实现带电粒子流的同轴控束。求Ⅰ和Ⅲ中磁场磁感应强度的大小，以及Ⅱ和Ⅳ中匀

强磁场区域的面积(无需写出面积最小的证明过程)。

mv

[答案](1)

qr1

mv

(2)垂直于纸面向里πr2

2

qr2

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mmπ－1π－1

vv

(3)2r22r2

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qrqr

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[解析](1)粒子沿x轴正方向射入圆形磁场，在坐标原点O汇聚，分析可知粒子在磁场中运

动的半径等于圆形磁场的半径r。粒子在磁场中运动，洛伦兹力提供向心力，有

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