低损耗PVDF基介质膜储能特性研究.pdfVIP

摘要

有机薄膜电容器作为常用的储能元件，拥有超高的可释放功率密度、高耐击穿

电压以及快速的充放电速率等特点，已经成为储能电容器领域的研究热点。但目前

学术界制备的介质膜仍存在介电损耗较高、充放电效率较低等问题。

本文选用聚偏氟乙烯-六氟丙烯(Polyvinylidenefluoride-hexafluoropropylene，缩

写为P(VDF-HFP))和热塑性聚酰亚胺(Thermoplastic-Polyimide，缩写为TPI)作为主

要材料，从体复合、层间复合两个角度来探索在保证其高介电常数的前提下，有效

降低薄膜材料介电损耗，提升薄膜材料及薄膜电容器的储能特性。本文制备了多种

不同结构的介质膜样品，并采用多种分析方法对介质膜样品进行介电性能测试以

及微观结构表征，并探讨了相关储能机理，主要工作如下：

1、系统地研究了不同驱溶温度对P(VDF-HFP)介质膜介电性能的影响。通过

多种表征发现，随着驱溶温度的升高，介质膜表面的树叶状结晶有所增强。进一步

的研究表明，驱溶温度和介质膜的结晶度存在一定的关系，当驱溶温度越高时，介

质膜表现出更高的结晶度；介电性能测试结果表明，介质膜的介电常数及介电损耗

随着结晶度的增大而增大；当驱溶温度为120℃时，介电损耗高达0.0313；根据这

一结论，制备了不同驱溶温度(60℃-120℃-60℃)的P(VDF-HFP)多层膜，其介电

常数高达9.45，介电损耗也低至0.0278。

2、系统地研究了驱溶温度对TPI介质膜的介电性能的影响。实验结果表明，

随着驱溶温度的升高，TPI介质膜的结晶度会增加，介电常数和介电损耗与其呈正

相关，当驱溶温度为120℃时，介电常数为4.38，介电损耗为0.0096。论文进一步

探讨了TPI材料和P(VDF-HFP)材料的体复合结构对介电性能的影响，将TPI材料

与P(VDF-HFP)进行复合，可有效降低共混体系的介电损耗。随着TPI复合比例的

增加，复合材料的介电常数和介电损耗都均有所下降，当TPI和P(VDF-HFP)质量

分数比例为1:1时，介电损耗可降低至0.0179。

3、本文还制备了P(VDF-HFP)/TPI三明治结构复合薄膜，系统地研究了驱溶

温度对层间复合薄膜介电性能与储能特性的影响，研究表明，分别对各单层薄膜进

行结晶度调控，所制备的60℃(TPI)-120℃(P(VDF-HFP))-60℃(TPI)的三明治结构

复合薄膜具有最优的介电储能特性，介电损耗进一步低至0.0127，同时复合薄膜具

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备473kV/mm的击穿场强，储能密度达到了4.89J/cm。

关键词：聚偏氟乙烯-六氟丙烯，介电损耗，复合介质膜，结晶度

ABSTRACT

Asacommonlyusedenergystorageelement,organicfilmcapacitorshavethe

characteristicsofultra-highreleasablepowerdensity,highbreakdownvoltageandfast

chargeanddischargerates,andhavebecomearesearchhotspotinthefieldofenergy

storagecapacitors.However,thedielectricfilmspreparedbyacademiastillhave

problemssuchashighdielectriclossandlowcharge-dischargeefficiency.

Inthispaper,poly(vinylidenefluoride-hexafluoropropylene)(Polyvinylidene

fluoride-hexafluoropropylene,abbreviatedasP(VDF-HFP))