低噪声放大器高重频脉冲损伤机理研究.pdfVIP

摘要

接收机前端系统中，低噪声放大器（LNA）和混频器是较为核心且灵敏的敏感

器件，高功率微波（HighPowerMicrowave，HPM）电磁环境下容易受到前门耦合

损伤，造成接收机功能失效。HPM电磁环境波形参数丰富，包括功率、频率、脉

宽、重频等。研究表明，微波脉冲波形参数对典型电子器件效应阈值表征影响很大，

其中微波脉冲功率、频率和脉宽等参数效应机理已基本明确。但高重频参数下（大

于kHz）HPM效应机理研究较少。随着HPM电磁辐射重频参数的不断提高，了解

及掌握高重频HPM电磁脉冲对低噪放的损伤效应及机理非常重要。

基于热动力学与电子电路拓扑类比方法，论文构建了低噪声放大器的高重频

毁伤效应电路模型，通过该电热耦合电路模型在电路仿真软件ADS下进行LNA

电路级的瞬态热毁伤效应模拟仿真，从温升规律角度合理解释了高重频微波脉冲

作用下，低噪声放大器的热积累毁伤效应机理规律；开展了S波段BJT低噪声放

大器效应样品设计、加工与测试；搭建了S波段高重频微波脉冲注入效应试验平

台，开展了重频（1Hz~10MHz）参数的HPM效应试验研究，获得脉冲重频参数对

LNA损伤阈值与损伤概率的影响规律。

仿真计算与试验数据分析表明：

脉冲重频低于500kHz时，仿真计算显示无明显温升积累，脉冲重频大于

500kHz后，每一个脉冲循环后器件温度均有一定程度的升高，多个脉冲循环后器

件由于温度过高而烧毁，并且温度积累程度与脉冲重频和脉冲数量成正相关。

注入试验表明LNA的损伤阈值与重频呈明显的拐点特征，拐点值范围约

500kHz~1MHz。在脉冲重频大于拐点值时，出现了明显的脉冲积累效应，LNA损

伤阈值随着脉冲数和重频的增加而减小、损伤概率与脉冲数和重频成正相关。而脉

冲重频低于拐点值时，LNA的损伤阈值与损伤概率无明显变化，与重频和脉冲数

无关。实验与仿真结果的高重频毁伤阈值相差不大，重频参数的毁伤机理规律基本

一致，实验验证了本文热毁伤模型的有效性。

关键词：低噪声放大器，HPM效应，高重频脉冲，热电耦合，热积累效应

ABSTRACT

Thereceiverfront-endsystem,low-noiseamplifier(LNA)andmixerismorecore

andsensitivedevices,high-powermicrowave(HighPowerMicrowave,HPM)

electromagneticenvironmentisvulnerabletofrontgatecouplingdamage,resultingin

receiverfunctionfailure.HPMelectromagneticenvironmentwaveformparametersare

rich,includingpower,repetitionfrequency,pulsewidth,etc.Studieshaveshownthat

microwavepulsewaveformparametershaveasignificantimpactontheeffectthreshold

characterizationoftypicalelectronicdevices.Experimentaldatashowthattheeffect

mechanismofmicrowavepulsepower,frequencyandpulsewidthparametersare

basicallyclear,buttheHPMeffectmechanismunderhighrepetitionfrequency

parameters(greaterthankHz)islessstudied.Withtheco