传感器与检测技术 课件 项目10 新型传感器.pptx

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第五级;;10.1光电编码器;光电编码器是一种回转式数字测量元件，通常装在被检测轴上，随被测轴一起转动，可将被测轴的角位移转换为增量脉冲形式或绝对式的代码形式。;;2.码盘;3.码制;;光电编码器分为相对式编码器和绝对式编码器。;当码盘随转轴同步转动时，每转过一个透光区与一个不透光区就产生一次光线的敏感变化，经整形放大，可以得到一个电脉冲信号，将该脉冲信号送到计数器中进行计数，每产生一个输出脉冲信号就对应于一个增量位移，它能产生与位移增量等值的脉冲信号。;（2）辨向;（3）零标志（一转信号）;2.绝对式编码器;若码盘上的透光区对应二进制1，不透光区对应二进制0，则沿码盘径向由外向内可依次读出码道上的二进制数。;绝对式编码器的作用不是计数，而是当与转轴相连的码盘旋转时，在转轴的任意位置读出一个与位置相对应的数字码，从而检测出绝对位置。;码道越多，分辨率就越高。;增量式编码器;;1.绝对式编码器在数控机床中的应用;伺服电机;放大整形;?;单击此处编辑母版文本样式

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第五级;;10.2CCD图像传感器;光固态图像传感器是高度集成的半导体光敏传感器，以电荷转移为核心，可以完成光电信号转换、存储、传输、处理，具有体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点，可探测可见光、紫外光、x射线、红外光、微光和电子轰击等，广泛用于图像识别和传送，例如摄像系统、扫描仪、复印机、机器人的眼睛等。

固态图像传感器按其结构可分为三种:

一种是电荷耦合器件(charge-CoupledDevices，简称CCD);

第二种是MOS型图像传感器，又称自扫描光电二极管阵列（seScannedPhohodiodeArray，简称SSPA);

第三种是电荷注入器件(chargeInjectionDevice，简称CID)。

目前前两者用得最多，CCD型图像传感器噪声低，在很暗的环境条件下性能仍旧良好;MOS型图像传感器质量很高，可用低压电源驱动，且外围电路简单。;CCD图像传感器实物;常见的基于CCD光电耦器??的设备;嫦娥二号携带的CCD立体摄像机;;CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS（金属—氧化物—半导体）电容器组成的阵列。

CCD是一种以电荷包的形式存贮和传递信息的半导体表面器件，是在MOS结构电荷存贮器的基础上发展起来的，所以有人将其称为“排列起来的MOS电容阵列”。

;CCD传感器的结构;CCD分辨率;;;1.信号电荷的产生;;一个MOS结构元为MOS光敏元或一个像素，把一个势阱所收集的光生电子称为一个电荷包；CCD器件内是在硅片上制作成百上千的MOS元，每个金属电极加电压，就形成成百上千个势阱；如果照射在这些光敏元上是一幅明暗起伏的图象，那么这些光敏元就感生出一幅与光照度响应的光生电荷图象。这就是电荷耦合器件的光电物理效应基本原理。;下图给出了P型半导体MOS光敏元的结构图，制备时先在P-Si片上氧化一层SiO2介质层，其上再沉积一层金属作为栅极，在P-Si半导体上制作下电极。;?;当光照射到MOS电容器上时，半导体吸收光子能量，产生电子-空穴对，少数电子会被吸收到势阱中。光强越大，产生电子-空穴对越多，势阱中收集的电子数就越多;反之，光越弱，收集的电子数越少。因此势阱中电子数目的多少可以反映光的强弱，从而说明图像的明暗程度。于是，这种MOS电容器实现了光信号向电荷信号的转变。若给光敏元阵列同时加上VG，整个图像的光信号将同时变为电荷包阵列。当有部分电子填充到势阱中时，耗尽层深度和表面势将随着电荷的增加而减小（由于电子的屏蔽作用，在一定光强下一定时间内势阱会被电子充满），所以收集电子的量要调整适当。;;在栅极G电压为零时，P型半导体中的空穴(多数载流子)的分布是均匀的。当施加正偏压UG(此时UG小于p型半导体的闽值电压Uth)，空穴被排斥，产生耗尽区。电压继续增加，则耗尽区将进一步向半导体内延伸。;3、信号电荷的传输（耦合）;每个光敏元（像素）对应有三个相邻的转移栅电极1、2、3,所有电极彼此间离得足够近,以保证使硅表面的耗尽区和电荷的势阱耦合及电荷转移。所有的1电极相连并施加时钟脉冲φ1,所有的2、3也是如此,并施加时钟脉冲φ2、φ3。这三个时钟脉冲在时序上相互交迭。;图中CCD的四个电极彼此靠的很近。假定一开始在偏压为10V的(1)电极下面的深势阱中，其他电极加有大于阈值的较低的电压(例如2V)，如图(a)所示。一定时刻后，(2)电极由2V变为10V，其余电极保持不变，如图(b)。因为(1)和(2)电极靠的很近