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半导体制造技术考试题库(答案)

选择题

1.以下哪种光刻技术分辨率最高？（）

A.紫外光刻

B.深紫外光刻

C.极紫外光刻

D.电子束光刻

答案：C

解析：紫外光刻分辨率相对较低，深紫外光刻分辨率有所提高，电子束光刻虽然分辨率高但速度慢、成本高不适合大规模生产。极紫外光刻采用极短波长的光源，能够实现更高的分辨率，是目前最先进的光刻技术用于制造先进制程芯片，所以选C。

2.化学气相沉积（CVD）中，以下哪种气体通常作为硅源气体？（）

A.SiH?

B.NH?

C.N?

D.O?

答案：A

解析：SiH?（硅烷）是常用的硅源气体，在CVD过程中分解提供硅原子用于沉积硅薄膜。NH?（氨气）常用于提供氮源等；N?（氮气）常作为载气或保护气；O?（氧气）可用于氧化等反应，但不是硅源气体，所以选A。

3.以下哪种工艺用于在半导体表面形成绝缘层？（）

A.离子注入

B.化学机械抛光

C.热氧化

D.光刻

答案：C

解析：离子注入是将杂质离子注入半导体中改变其电学性质；化学机械抛光主要用于平整半导体表面；光刻用于图形转移；热氧化是在高温下让硅与氧气反应在表面形成二氧化硅绝缘层，所以选C。

4.下列哪种材料常用于制造半导体芯片的衬底？（）

A.玻璃

B.陶瓷

C.硅

D.铜

答案：C

解析：硅具有良好的半导体特性、热稳定性和加工性能，是制造半导体芯片最常用的衬底材料。玻璃和陶瓷一般不用于半导体芯片衬底，铜主要用于芯片内的互连金属，所以选C。

5.在半导体制造中，“湿法刻蚀”是利用（）进行刻蚀。

A.等离子体

B.化学反应溶液

C.激光

D.电子束

答案：B

解析：等离子体用于干法刻蚀；激光和电子束有其他应用但不是湿法刻蚀的方式。湿法刻蚀是利用化学反应溶液与半导体材料发生化学反应来去除不需要的部分，所以选B。

6.以下哪种光刻胶在曝光后溶解度降低？（）

A.正性光刻胶

B.负性光刻胶

C.化学增幅光刻胶

D.电子束光刻胶

答案：B

解析：正性光刻胶曝光后溶解度增加；负性光刻胶曝光后发生交联反应，溶解度降低；化学增幅光刻胶有多种类型，但通常曝光后会有化学变化导致溶解度改变；电子束光刻胶是适用于电子束光刻的光刻胶，本题问曝光后溶解度降低的是负性光刻胶，所以选B。

7.半导体制造中的“CMP”是指（）。

A.化学机械抛光

B.化学气相沉积

C.物理气相沉积

D.离子注入

答案：A

解析：化学机械抛光英文是ChemicalMechanicalPolishing，缩写为CMP；化学气相沉积是CVD；物理气相沉积是PVD；离子注入是IonImplantation，所以选A。

8.以下哪种杂质原子掺入硅中会形成n型半导体？（）

A.硼（B）

B.磷（P）

C.镓（Ga）

D.铟（In）

答案：B

解析：硼、镓、铟等是三价杂质原子，掺入硅中会形成p型半导体；磷是五价杂质原子，掺入硅中会提供多余的电子，形成n型半导体，所以选B。

9.半导体制造中，“PECVD”代表（）。

A.等离子增强化学气相沉积

B.物理化学气相沉积

C.低压化学气相沉积

D.金属有机化学气相沉积

答案：A

解析：PECVD是PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition的缩写，即等离子增强化学气相沉积；物理化学气相沉积不是常见术语；低压化学气相沉积是LPCVD；金属有机化学气相沉积是MOCVD，所以选A。

10.在光刻工艺中，“掩膜版”的作用是（）。

A.提供光刻所需的光源

B.控制光刻胶的曝光区域

C.去除光刻胶

D.对半导体进行掺杂

答案：B

解析：光源有专门的光刻光源设备提供；掩膜版上有预先设计好的图形，在光刻过程中通过光刻光源照射，将图形转移到光刻胶上，控制光刻胶的曝光区域；去除光刻胶有专门的去胶工艺；对半导体进行掺杂是离子注入等工艺的作用，所以选B。

填空题

1.半导体制造中常用的两种光刻技术是（光刻技术）和（电子束光刻技术）。

答案：光学；电子束

解析：光学光刻是目前半导体大规模生产中最常用的光刻技术，利用光学原理将掩膜版上的图形转移到光刻胶上。电子束光刻则具有高分辨率的特点，常用于制造高精度的掩膜版或小批量的先进制程研发等。

2.化学气相沉积（CVD）根据反应条件可分为（低压化学气相沉积）、（常压化学气相沉积）和（等离子增强化学气相沉积）等。

答案：低压化学气相沉积（LPCVD）；常压化学气相沉积（APCVD）；等离子增强化学气相沉积（PECVD）

解析：LPCVD在低压环境下进行反应，能得到质量较好的薄膜；APCVD在常压下反应，设备相对简单；PECVD利用等离子体增强反应