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摘要
准确表征氮化镓（GaN）器件中的掺杂剂分布对器件性的研发和诊断具有至关重
要的作用。扫描电子显微镜（SEM）因具有埃级分辨率、操作简单、成像速度快等优
点，在掺杂剖析方面具有巨大潜力。目前，基于SEM的GaN掺杂剖析存在掺杂衬度
弱、掺杂衬度因素复杂和掺杂衬度产生机理不清晰等问题，导致目前基于SEM的掺
杂剖析应用仍以定性为主，难以实现定量分析。本论文采用SEM对不同掺杂类型和
掺杂浓度的多层GaN样品进行表
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