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自考专业(计算机应用)考前冲刺练习试题
考试时间:90分钟;命题人:教研组
考生注意:
1、本卷分第I卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分,满分100分,考试时间90分钟
2、答卷前,考生务必用0.5毫米黑色签字笔将自己的姓名、班级填写在试卷规定位置上
3、答案必须写在试卷各个题目指定区域内相应的位置,如需改动,先划掉原来的答案,然后再写上新的答案;不准使用涂改液、胶带纸、修正带,不按以上要求作答的答案无效。
第I卷(选择题55分)
一、单选题(10小题,每小题5分,共计50分)
1、(单选题)从指令和数据的多倍性来看,阵列机属于()
A.单指令流单数据流
B.单指令流多数据流
C.多指令流单数据流
D.多指令流多数据流
正确答案:B
2、(单选题)使用地址作为实参传给形参,下列说法正确的是()
A.实参是形参的备份
B.实参与形参无联系
C.形参是实参的备份
D.实参与形参是同一对象
正确答案:D
3、(单选题)与十进制数254等值的数是____。
ABCD正确答案:A
4、(单选题)从市场结构看,属于完全竞争市场的特征是()
A.市场中只有一个卖者,它是价格的制定者
B.市场中卖者数量很多、规模很小,每个生产者都不能影响价格
C.市场中卖者数量很少,一个企业的行为会影响其他的企业
D.市场中卖者数量较多、规模较小,每个生产者都对价格有一定的控制力
正确答案:B
5、(单选题)人触电死亡的危险电流值与人的体重和()有关。
A.人的体重
B.通电的时间
C.空气温度
D.空气湿度
正确答案:C
6、(单选题)要禁止修改指针p本身,又要禁止修改p所指向的数据,这样的指针应定义为()
A.constchar*p=“ABCD”;
B.char*constp=“ABCD”;
C.charconst*p=“ABCD”;
D.constchar*constp=“ABCD”;
正确答案:D
7、(单选题)过低的室温会使()。
A.元件失效率急剧增加,使寿命下降
B.使磁介质发脆,容易断裂
C.容易产生静电
D.使微电子设备内总焊点和插座的接触电阻增大
正确答案:B
8、(单选题)下列不属于集中式总线控制优先次序方式的是()
A.串行链接
B.DMA
C.定时查询
D.独立请求
正确答案:B
9、(单选题)程序员编写程序时使用的地址是()。
A.主存地址
B.逻辑地址
C.物理地址
D.有效地址
正确答案:B
10、(单选题)为了减小开关时间,常在晶体管的基极回路中引入加速电容,它的主要作用是:()。
A.在开启时提供很大的正向基极电流,并在关闭时提供很大的反向基极电流
B.在开启时提供很大的反向基极电流
C.隔开直流电压
正确答案:A
二、多选题(1小题,每小题5分,共计5分)
1、(多选题)下列关于系统安全状态的描述中,正确的是()。
A.不安全状态是死锁状态的一个特例
B.系统处于安全状态一定不会发生死锁
C.系统处于不安全状态一定会发生死锁
D.系统处于不安全状态可能会发生死锁
E.系统处于不安全状态不一定会发生死锁
正确答案:BDE
第Ⅱ卷(非选择题45分)
三、填空题(5小题,每小题4分,共计20分)
1、(填空题)简单地说,JDBC可做三件事:与数据库建立连接、发送______语句并处理结果。
正确答案:SQL
2、(填空题)关联一端的类目对另一端的类目的一种呈现,称为____________。
正确答案:角色
3、(填空题)10111B用十六进制数表示为____,八进制数表示为____。
正确答案:H、O
4、(填空题)主存储器的性能指标主要是A.______、B.______、存储周期和存储器带宽。
正确答案:存储容量、存取时间
5、(填空题)主存空间数据相关是相邻两条指令之间出现对主存_______要求_______的关联。
正确答案:同一单元、先写而后读
四、判断题(1小题,每小题5分,共计5分)
1、(判断题)若G是欧拉图,则其边数e合结点数v的奇偶性不能相反。
正确答案:
错误
五、计算题(1小题,每小题10分,共计10分)
1、(计算题)某反馈放大电路的方框图如图所示,试推导其闭环增益xo/xi的表达式。
正确答案:
六、解答题(1小题,每小题10分,共计10分)
1、(问答题)简述RUP设计模型以及包含的元素。
正确答案:RUP的设计模型是RUP设计的主要结果,它尽量保持该系统具有分析模型的结抅,并作为系统实现的输入。它包括以下元素:
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