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目录
第1章绪论1
1.1引言1
1.2MX及复合材料简介及研究现状3
2
1.2.1MX的结构特征与应用3
2
1.2.2MoS与WSe纳米材料基本性质的研究5
22
1.3MX复合物的研究进展7
2
1.3.1Ag/MX复合材料的制备与发展应用7
2
1.3.2多层MoS2与WSe2的改性策略探究10
1.4本论文的选题思路以及研究内容12
1.4.1选题思路12
1.4.2研究内容13
第2章AgMX2的设计、制备及表征14
2.1引言14
2.2Ag/MX2的制备、实验设计及表征15
2.2.1Ag/MX2的制备方法15
2.2.2Ag/MX2的实验设计及表征15
2.3不同实验参数条件下材料的形貌和组分结果分析18
2.3.1Ag制备方法及条件对WSe2形貌组分的影响18
2.3.2Ag沉积时间对MoS2形貌组分的影响22
2.4实验参数对材料结构的影响24
2.4.1Ag制备条件对WSe2结构的影响24
2.4.2Ag沉积时间对MoS2结构的影响26
2.5本章小结28
第3章AgMX2界面工程及其光与介质相互作用机制29
3.1引言29
3.2Ag/MX2复合材料的拉曼性质分析29
3.2.1AgWSe2的拉曼特性分析29
3.2.2Ag/MoS2的拉曼特性分析32
3.3Ag/MX2的光-物质作用下激子发射与辐射特性35
3.3.1AgWSe2的紫外可见吸收特征35
3.3.2Ag/MoS2的紫外可见吸收特征38
3.3.3AgWSe2的光致发光特性及电荷转移过程39
3.3.4Ag/MoS2的激子辐射特性及电磁场调控43
3.4本章小结49
第4章AgMX2的非线性光学及超快载流子动力学特性50
4.1引言50
4.2Ag/MX2的非线性吸收及相关参量计算50
4.2.1Ag/WSe2的非线性吸收机制研究50
4.2.2Ag/MoS2的非线性吸收机制研究52
4.2.3Ag/MoS2的超快动力学特性研究54
4.3本章小结57
结论58
参考文献59
摘要
摘要
随着光电器件朝着制备工艺简化、体积小型化和低功耗的方向发展,二维过
渡金属硫族化合物(2DTMDs)因其优良的机械柔韧性、极高的比表面积、易调节
的电学和光学性质而受到广泛关注。为了解决多层TMDs光吸收范围窄,晶体透
过率、发光强度与发光量子产率(PLQY)低等问题,构建高导电材料(如金属或石
墨烯(Gr))修饰多层TMDs,不仅可以降低TMDs再堆叠所引起的相关问题还可
以改善其不良导电性。金属-半导体晶格不匹配导致的应变工程是一种调整光电
子材料物理性能的新方法。本文设计AgMX(MMo,W;XS,Se),系统地介绍
2
Ag纳米粒子(AgNPs)装饰TMDs纳米片的界面工程,揭示AgMX(Ag/TMDs和
2
Ag@WSe)复合材料良好的光物质相互作用和超快电子转移机制。论文的具体研-
2
究内容如下:
首先,本文采用两步磁控溅射法、水热结合磁控溅射法分别设计制备
Ag/TMDsAg@WSe
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