一种H桥智能功率驱动芯片及保护电路的设计.pdfVIP

摘要

智能功率集成电路（SPIC）技术成功地将功率控制和处理糅合在一块芯片中，

凭借智能、小体积的优势，奠定了中低功率处理领域不可或缺的地位。得益于人们

迫切通过自动化控制来提升生活质量的愿景，作为SPIC成果之一的H桥智能驱动

芯片显得极具研究价值。在科技引领世界的今天，更加需要研究H桥驱动技术来

推进我国的自动化进程。

基于0.25μmBCD工艺，本设计完成了一款用于驱动有刷直流电机的H桥驱

动芯片。此芯片由逻辑电路、驱动电路、功率开关等部分组成。在11V~55V电源

电压范围内工作，可以通过输入的PWM、Dir、Brake信号智能地控制电机的加速、

减速和刹车，在100%PWM驱动模式下，电机的最大电流可达3.24A，可应用于

驱动峰值电流符合此范围的有刷电机。本设计先从物理学角度对电机进行数学建

模，来理清控制转速的思路。然后对H桥基本知识进行梳理，然后进行H桥驱动

芯片的架构设计。最后通过模块化设计将设计难点逐一拆分，最后再将各模块整合

验证。

本文首先设计了一款高压LDO，通过源极跟随器将误差放大器的输出极点推

到高频，然后通过功率MOS栅极连接的电阻来调节非主极点和增大LDO的电源

抑制比。其次通过动态电流法，实现了一种低延时且低静态功耗的电平位移电路，

极大地优化了时延和功耗，优化了自举端的负载电流，减小了电荷泵电容的大小，

从而节省了芯片面积。由于高低边驱动器的时延大致相等，所以仅对逻辑模块进行

死区补偿就可以避免H桥死区穿通。

在SM模式下模拟驱动有刷电机，进行联合仿真验证和功能分析，结果入下：

重载条件下的电流最高可达3.24A，启动时间约100μs，内部集成的高低侧功率

MOS导通电阻分别为0.489Ω、0.485Ω；上升、下降死区时间分别为58.4ns、155

ns，能有效减少异步衰减的损耗；导通和关断米勒平台时间为87.73ns、6.6ns；SM

模式下驱动阶段电流增大速率与负载电流负相关，续流阶段电流减小速率与负载

电流正相关，所以可以通过控制电机的驱动时间和续流时间，可以使电机电流在某

一区间内达到动态平衡而周期性波动，从而控制转速。经过总体仿真验证，对电机

具有较好的控制效果。

关键词：H桥驱动，电机，高压LDO，保护，死区时间

ABSTRACT

Intelligentpowerintegratedcircuit(SPIC)technologysuccessfullycombinespower

controlandprocessinginasinglechip.Withtheadvantagesofintelligenceandsmallsize,

ithasestablishedanindispensablepositioninthefieldofmediumandlowpower

processing.AsoneoftheachievementsofSPIC,theH-bridgeintelligentdriverchip

appearstobeofgreatresearchvalueduetothevisionthatpeopleareeagertoimprove

thequalityoflifethroughautomaticcontrol.Today,Intheworlddominatedbyscience

andtechnology,itismorenecessarytostudyH-bridgedrivertechnologytopromoteour

automationprocessinChina.

Withthehelpof0.25μmBCDprocess,thisdesigncompletedanH-bridgedriver

chipforDCbrushmotor.Thechipiscomposedoflogiccircuit,drivecircuit,power