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(新)半导体公司笔试题

选择题

1.以下哪种半导体材料常用于制造高频、高速器件？

A.硅（Si）

B.锗（Ge）

C.砷化镓（GaAs）

D.碳化硅（SiC）

答案：C

解析：砷化镓（GaAs）具有高电子迁移率，使得它在高频、高速器件制造方面表现出色。硅（Si）是最常用的半导体材料，但在高频高速性能上不如砷化镓。锗（Ge）早期也用于半导体，但由于其热稳定性等问题，应用范围相对较窄。碳化硅（SiC）主要用于高功率、高温和高频的应用，但在高速性能上不如砷化镓在某些方面突出。

2.本征半导体中，自由电子浓度$n_0$和空穴浓度$p_0$的关系是？

A.$n_0p_0$

B.$n_0p_0$

C.$n_0=p_0$

D.无法确定

答案：C

解析：本征半导体是完全纯净的、具有晶体结构的半导体。在本征半导体中，由于热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的，所以自由电子浓度$n_0$和空穴浓度$p_0$相等。

3.在PN结加正向电压时，其耗尽层会？

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.先变宽后变窄

答案：B

解析：当PN结加正向电压时，即P区接电源正极，N区接电源负极。此时，外电场与内电场方向相反，削弱了内电场，使得多子的扩散运动增强，少子的漂移运动减弱。耗尽层中的正负离子被中和一部分，导致耗尽层变窄。

4.以下哪种器件不属于场效应管？

A.结型场效应管（JFET）

B.绝缘栅型场效应管（MOSFET）

C.双极型晶体管（BJT）

D.高电子迁移率晶体管（HEMT）

答案：C

解析：双极型晶体管（BJT）是基于两种载流子（电子和空穴）参与导电的晶体管。而结型场效应管（JFET）、绝缘栅型场效应管（MOSFET）和高电子迁移率晶体管（HEMT）都属于场效应管，它们主要是通过电场来控制半导体中多数载流子的运动。

5.集成电路制造中，光刻工艺的主要作用是？

A.沉积薄膜

B.掺杂杂质

C.图形转移

D.去除氧化层

答案：C

解析：光刻工艺是集成电路制造中的关键工艺之一，其主要作用是将掩膜版上的图形转移到半导体晶圆表面的光刻胶上，为后续的刻蚀、掺杂等工艺提供精确的图形模板。沉积薄膜通常采用化学气相沉积（CVD）等方法；掺杂杂质有离子注入等方法；去除氧化层有湿法刻蚀等方法。

6.对于N型半导体，其多数载流子是？

A.电子

B.空穴

C.正离子

D.负离子

答案：A

解析：N型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质元素（如磷）形成的。五价杂质原子最外层有五个电子，其中四个与硅原子形成共价键，多余的一个电子很容易成为自由电子，所以N型半导体中多数载流子是电子。

7.以下哪种效应会导致MOSFET的阈值电压发生变化？

A.热载流子效应

B.短沟道效应

C.量子隧穿效应

D.以上都是

答案：D

解析：热载流子效应会使热载流子注入到栅氧化层中，改变栅氧化层的电荷分布，从而导致阈值电压变化。短沟道效应会使MOSFET的电场分布发生改变，影响载流子的输运和阈值电压。量子隧穿效应在器件尺寸缩小到一定程度时，电子会通过量子隧穿穿过栅氧化层，也会影响阈值电压。

8.在CMOS电路中，PMOS管和NMOS管的导通条件分别是？

A.PMOS管：栅源电压$V_{GS}0$；NMOS管：栅源电压$V_{GS}0$

B.PMOS管：栅源电压$V_{GS}0$；NMOS管：栅源电压$V_{GS}0$

C.PMOS管：栅源电压$V_{GS}$阈值电压$V_{THP}$；NMOS管：栅源电压$V_{GS}$阈值电压$V_{THN}$

D.PMOS管：栅源电压$V_{GS}$阈值电压$V_{THP}$；NMOS管：栅源电压$V_{GS}$阈值电压$V_{THN}$

答案：C

解析：对于PMOS管，当栅源电压$V_{GS}$小于其阈值电压$V_{THP}$（一般为负值）时，PMOS管导通。对于NMOS管，当栅源电压$V_{GS}$大于其阈值电压$V_{THN}$（一般为正值）时，NMOS管导通。

9.半导体材料的导电性能随温度的升高而？

A.增强

B.减弱

C.不变

D.先增强后减弱

答案：A

解析：半导体材料的导电性能主要取决于载流子的浓度和迁移率。温度升高时，热激发产生的载流子（自由电子和空穴）数量增加，虽然迁移率会有所下降，但载流子浓度的增加起主导作用，所以半导体材料的导电性能随温度升高而增强。

10.以下哪种封装形式适用于大规模集成电路？

A.单列直插式封装（SIP）

B.双列直插式封装（DIP）

C.球栅阵列封装（BGA）

D.引脚网格阵列封装（PGA）

答案：C

解析：球栅阵列封装（BGA）具有引脚数量多、引脚间距大、散热性能好等优点，非常适合大规模集