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半导体或芯片岗位招聘面试题与参考回答(+答案)

一、选择题

1.以下哪种半导体材料在现代集成电路制造中应用最为广泛？（）

A.锗（Ge）

B.硅（Si）

C.砷化镓（GaAs）

D.氮化镓（GaN）

答案：B

解析：硅（Si）在现代集成电路制造中应用最为广泛。硅具有丰富的资源、良好的热稳定性、成熟的加工工艺等优点。锗（Ge）早期也用于半导体器件，但由于其热稳定性较差等原因，应用逐渐减少。砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）虽然在高频、高速等特定领域有优势，但整体应用范围不如硅广泛。

2.以下哪个是描述半导体载流子迁移率的物理量？（）

A.伏特（V）

B.安培（A）

C.平方厘米每伏特秒（cm2/V·s）

D.欧姆（Ω）

答案：C

解析：载流子迁移率是指载流子（电子或空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，其单位是平方厘米每伏特秒（cm2/V·s）。伏特（V）是电压的单位，安培（A）是电流的单位，欧姆（Ω）是电阻的单位。

3.芯片制造过程中，光刻工艺的主要目的是（）

A.沉积金属层

B.定义芯片的电路图案

C.掺杂杂质

D.抛光芯片表面

答案：B

解析：光刻工艺是芯片制造中非常关键的一步，其主要目的是通过光刻胶和掩膜版，将设计好的电路图案转移到半导体晶圆表面，从而定义芯片的电路图案。沉积金属层通常使用物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等方法；掺杂杂质是通过离子注入或扩散等工艺实现；抛光芯片表面一般采用化学机械抛光（CMP）工艺。

4.以下哪种存储器是易失性存储器？（）

A.闪存（Flash）

B.静态随机存取存储器（SRAM）

C.只读存储器（ROM）

D.电可擦可编程只读存储器（EEPROM）

答案：B

解析：易失性存储器是指在断电后数据会丢失的存储器。静态随机存取存储器（SRAM）是易失性存储器，它速度快，但成本高、集成度低。闪存（Flash）、只读存储器（ROM）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）都是非易失性存储器，即使断电数据也不会丢失。

5.在CMOS电路中，NMOS管导通的条件是（）

A.栅源电压大于阈值电压

B.栅源电压小于阈值电压

C.漏源电压大于阈值电压

D.漏源电压小于阈值电压

答案：A

解析：对于NMOS管，当栅源电压（VGS）大于其阈值电压（VT）时，沟道形成，NMOS管导通。漏源电压（VDS）主要影响NMOS管的工作状态（如线性区、饱和区等），但不是导通的决定条件。

二、填空题

1.半导体的导电性能介于______和______之间。

答案：导体；绝缘体

解析：导体具有良好的导电性能，能够让电流顺利通过；绝缘体几乎不导电；而半导体的导电能力则处于两者之间，其导电性能可以通过掺杂、改变温度、光照等方式进行调节。

2.常见的半导体掺杂类型有______型和______型。

答案：N；P

解析：N型半导体是通过在本征半导体中掺入五价杂质（如磷），使得半导体中电子成为多数载流子；P型半导体是掺入三价杂质（如硼），空穴成为多数载流子。

3.芯片制造的前道工艺主要包括______、______、______等步骤。

答案：光刻；刻蚀；掺杂

解析：光刻是将设计好的电路图案转移到晶圆上；刻蚀是根据光刻定义的图案，去除不需要的半导体材料；掺杂是向特定区域引入杂质，改变半导体的电学性能。这三个步骤是芯片前道工艺的关键环节。

4.集成电路按集成度可分为小规模集成电路（SSI）、中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）和______集成电路（VLSI）以及______集成电路（ULSI）。

答案：超大规模；甚大规模

解析：随着技术的发展，集成电路的集成度不断提高。超大规模集成电路（VLSI）集成了大量的晶体管，而甚大规模集成电路（ULSI）则具有更高的集成度。

5.半导体器件的基本特性包括______特性、______特性和______特性。

答案：伏安；电容；温度

解析：伏安特性描述了半导体器件电流与电压之间的关系；电容特性涉及器件的电容效应，如PN结电容等；温度特性反映了半导体器件性能随温度的变化，温度对半导体的载流子浓度、迁移率等都有影响。

三、判断题

1.半导体的电阻率随温度升高而增大。（）

答案：错误

解析：半导体的电阻率随温度升高而减小。这是因为温度升高时，半导体中的本征激发加剧，载流子浓度增加，从而导致电阻率降低，与金属的电阻率随温度升高而增大的特性相反。

2.光刻工艺中，光刻胶的作用是保护不需要刻蚀的区域。（）

答案：正确

解析：在光刻工艺中，光刻胶涂覆在晶圆表面，经过曝光和显影后，光刻胶会形成与掩膜版图案对应的图形。在后续的刻蚀过程中，光刻胶可以保护不需要刻蚀的区域，使刻蚀只在特定区域进行。