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§1.2.2PN结的单向导电性当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。(1)PN结加正向电压时PN结加正偏时的导电情况低电阻大的正向扩散电流正向电压使PN结内建电场减弱，空间电荷区变薄,产生较大的正向扩散电流。扩散飘移，正向电流大**第30页，共78页，星期日，2025年，2月5日(2)PN结加反向电压时加反偏的PN结高电阻很小的反向漂移电流在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，故反向饱和电流很小。外加电场与PN结内建电场方向一致，使PN结空间电荷区变宽，扩散电流趋于零，只存在少数载流子的漂移,形成反向饱和电流，其数值很小，一般为微安（?A）数量级。**第31页，共78页，星期日，2025年，2月5日PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。PN结的单向导电性PNRViDPNRViD加正偏PN结导通加反偏PN结截止**第32页，共78页，星期日，2025年，2月5日(3)PN结方程式中:IS——反向饱和电流VT——温度的电压当量且在室温下（T=300K）DIDVD+?VDID0ISPN**第33页，共78页，星期日，2025年，2月5日PN结方程的讨论在室温下（T=300K），设VD=100mV,而VT=26mV，＞＞1所以当VD＞100mV时，PN结方程可以简化为同样当VD＜-100mV时，PN结方程可以简化为∵VDID0IS**第34页，共78页，星期日，2025年，2月5日例：已知室温(T=300K)下，硅PN结外加正偏VD为0.7V,正向电流ID为1mA,求反向饱和电流IS。DIDVD+?解：由室温(T=300K)下代入已知条件得：**第35页，共78页，星期日，2025年，2月5日§1.2.3PN结的反向击穿(PNjunctionbreakdown)当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。雪崩击穿齐纳击穿反向击穿当VBR＜4V时称为“齐纳击穿”VBR＞6V时称为“雪崩击穿”VBR——反向击穿电压(一般VBR＞100V)在VBR附近ID大幅度变化，而VD变化很小，具有稳压特性。利用PN结的反向击穿特性可以制成“稳压二极管”。VD(V)ID(mA)O**第36页，共78页，星期日，2025年，2月5日§1.2.4PN结的电容效应(1)势垒电容CTPN结存在两种电容效应++++++++-q--------+q-qvS+_PN势垒区+_vS势垒区电荷随外加反偏vS增大而增大，结构类似电容。**第37页，共78页，星期日，2025年，2月5日(2)扩散电容CD扩散电容示意图正偏时两区靠近PN结附近存在可动电荷的积累，具有电容效应。此效应用扩散电容CD表征。PN+_vSRxnppn加反偏存在势垒电容效应；加正偏存在扩散电容效应。**第38页，共78页，星期日，2025年，2月5日PN结电容Cj是一种非线性电容利用PN结电容特性可制成“变容二极管”。对于一般小功率二极管Cj＝1PF~100PF。CD扩散电容,CT势垒电容。vS+_vS(V)CjO**第39页，共78页，星期日，2025年，2月5日§1.3晶体二极管(Diode)及其应用一、二极管的分类1).普通二极管2).稳压二极管3).发光二极管4).光敏二极管5).变容二极管6).肖特基二极管**第40页，共78页，星期日，2025年，2月5日半导体二极管图片**第41页，共78页，星期日，2025年，2月5日电路符号内部结构常见外形PN阳极阴极DPN二极管分为普通二极管和特殊二极管，普通二极管的内部结构就是一个简单PN结。常用的普通二极管有硅二极管和锗二极管两种。二、普通二极管的内部结构*