窄线宽垂直腔面发射激光器的设计与研究.pdf

摘要

芯片级原子钟技术的迅速发展，对光源的功耗和体积提出了高要求。垂直腔面

发射激光器（VCSEL）具有低功耗、小型化、可靠性等方面的优势，已渗透到芯片

级原子钟的架构中。芯片级原子钟中的VCSEL，作为“本地振荡器”，还需要满足

对钟跃迁谱线的探测，具体指激光线宽小于或等于10MHz。光学谐振腔是激光器

的关键要素之一，对腔内光子的物性具有调控作用，包括频率、振幅等。然而，目

前减少VCSEL线宽的方法主要依赖于外腔，这增加了设备的复杂性和成本，并阻

碍了与原子钟系统的无缝集成。针对VCSEL内腔的设计与线宽调控，仍缺乏系统

的研究，不利于器件性能的提升以及应用领域的拓展。本论文探究了拓展腔VCSEL

和耦合腔VCSEL的设计准则，从理论上研究了光学、电学和热学等方面的性质，

并对拓展腔VCSEL开展了初步实验验证。为内腔工程设计窄线宽VCSEL提供了

理论支持和参考。本论文主要工作和创新点如下：

研究了光学腔有效腔长拓展对VCSEL线宽的调控作用。基于多光束干涉理论，

利用相位匹配关系，明确了DBR中的一层的厚度拓展至（1/4+m/2）λ时，DBR的

功能不受影响。其中，λ是工作波长。以拓展层厚度作为自由度，通过仿真模拟系

统地研究了其对VCSEL的光、电、热等性能的调控，进而提出一组拓展腔VCSEL

的最优设计结构。在理论上取得了1.7MHz的谱线宽度和3mW的输出功率。通

过外延及光刻等技术制备了样品，进行了初步验证，与理论计算的结果一致。

研究光子寿命延长对VCSEL线宽的调控作用。阐明了耦合腔VCSEL和拓展

腔VCSEL的本质区别，即垂直腔中除顶部和底部的布拉格反射镜（DBR）以外的

中间镜子需满足Su-Schrieffer-Heeger型缺陷条件。光子在引入的无源腔中往返振

荡，富集存储，使得光子的寿命延长。创新了一种（四镜）三腔耦合腔VCSEL，

在输出功率为1mW时，理论上谱线宽度为0.1MHz，与传统VCSEL相比线宽减

小了两个数量级。对器件的量子阱增益及腔模位置等材料结构参数进行了优化，确

定增益-腔模失谐量为-15nm，使器件的基本性能在高温环境（80℃）下保持稳定。

关键词：VCSEL，窄线宽，拓展腔，耦合腔

ABSTRACT

Therapiddevelopmentofchip-levelatomicclocktechnologyimposeshighdemands

onthepowerconsumptionandvolumeoflightsources.VCSELshaveadvantagessuch

aslowpowerconsumption,miniaturization,andreliability,andtheyhavebeenappliedto

chip-levelatomicclocks.Inchip-levelatomicclocks,VCSELs,aslocaloscillators,also

needtomeettherequirementofdetectingclocktransitionspectra.Specifically,thelaser

linewidthislessthanorequalto10MHz.Theopticalresonantcavityisoneofthecritical

elementsofthelaser,whichcontrolsthepropertiesofphotonsinsidethecavity,including

frequencyandamplitude.However,thecurrentprevalentmethodforreducingVCSEL

linewidthsreliesonexternalcavities,whichaddscomplexityandcosttothedevicesand

hampersseamlessintegrationintoatomicclocksystems.Syst