真空辅助过滤法制备MXene_ANF复合薄膜及其性能研究.pdf

摘要

传统电磁屏蔽材料通常使用导电金属、导电橡胶、导电复合剂等，但是由于易

腐蚀、重量重、不易弯曲等缺点的存在限制了其发展。因此，为了克服传统屏蔽材

料的局限性，开发具有柔韧性和优异机械性能的电磁屏蔽多功能材料对于下一代

智能电子设备、通信应用具有重要意义。

本文选取具有层状结构的二维高导电性过渡金属碳/氮化物（MXene）材料和

拥有强力学特性和热稳定性的一维纳米纤维芳纶纳米纤维（AramidNanoFibers,

ANF）结合，制备了两种交替叠层结构复合多功能薄膜器件，其中主要工作如下：

（1）交替叠层ANF/MXene系复合薄膜的制备与性能研究。通过简单的交替

真空辅助过滤（AlternateVacuumAssistedFiltration,AVAF）工艺成功制备了具有多

层结构的ANF/TiCTMXene（ANF/MXene）复合薄膜。在拥有强力学特性和热稳

32x

定性的ANF层介入下，叠层结构薄膜表现出优异的机械性能。ANF2/MXene1复

合薄膜的拉伸强度可达177.7MPa，断裂应变为12.6%。此外，厚度仅为30μm的

ANF5/MXene4复合薄膜的电磁干扰（ElectromagneticInterference,EMI）屏蔽效率

2-1

为37.5dB，而EMI屏蔽效能值为4718dB·cm·g。此外，该复合膜具有优异的隔

热性能和避免光热转换。在130°C的高温下，厚度仅为100μm的薄膜表面没有产

生灼烧感。此外，薄膜表面仅在模拟阳光下触摸时才温和。因此，我们的多层结构

薄膜在下一代智能电子设备、通信和军事应用等实际应用中具有潜在的意义。

（2）交替叠层ANF/MXene@AgNW系复合薄膜的制备与性能研究。在银纳

米线（SilverNanowires,AgNW）的加入下通过AVAF工艺制备交替叠层

ANF/MXene@AgNW系薄膜。其中AgNW与MXene纳米片形成的三维导电结构

以及ANF基底的存在使得复合系薄膜具备优秀的力学性能以及超高的电磁屏蔽特

性。其中超薄厚度交替叠层复合ANF2/MXene@AgNW1薄膜具有超过200MPa的

抗拉伸强度。特别地，ANF/MXene@AgNW系复合薄膜的电磁屏蔽特性远超

ANF/MXene系薄膜，整体平均屏蔽效率可达99.99%以上。此外，复合薄膜在电热

转换上表现出色，通过通以低压可使薄膜升温至最高111.5°C，且可通过调节电压

使温度控制在50-100°C范围内，可应用于多场合下。

综上所述，本工作这种制作工艺简洁且应用广泛的交替叠层复合系屏蔽膜在

实际应用中如航空航天、可移动设备、智能终端上具备着应用价值。

关键词：真空辅助过滤，MXene，芳纶纳米纤维，银纳米线，交替叠层结构

ABSTRACT

Traditionalelectromagneticshieldingmaterialsusuallyuseconductivemetal,

conductiverubber,conductivecompound,etc.,buttheobviousdrawbacksarethatthese

materialsareeasytocorrode,heavy,andnoteasytobend.Therefore,inorderto

overcomevariousdefectsbroughtbythelimitationsoftraditionalshieldingmaterials,

thedevelopmentofelectromagneticshieldingmultifunctionalmaterialswithflexibility

andexcellentmechanicalpropertiesisofgreat