2023年度自考专业(计算机应用)考前冲刺练习试题（精华版）附答案详解.docxVIP

自考专业(计算机应用)考前冲刺练习试题

考试时间：90分钟；命题人：教研组

考生注意：

1、本卷分第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟

2、答卷前，考生务必用0.5毫米黑色签字笔将自己的姓名、班级填写在试卷规定位置上

3、答案必须写在试卷各个题目指定区域内相应的位置，如需改动，先划掉原来的答案，然后再写上新的答案；不准使用涂改液、胶带纸、修正带，不按以上要求作答的答案无效。

第I卷（选择题55分）

一、单选题（10小题，每小题5分，共计50分）

1、（单选题）人触电死亡的危险电流值与人的体重和()有关。

A.人的体重

B.通电的时间

C.空气温度

D.空气湿度

正确答案：C

2、（单选题）下列关于长尾理论的说法中，正确的是（）

A.长尾理论不适用于数字产品的销售

B.长尾理论是二八定律的延续和深化

C.长尾理论强调的是大众文化和小众文化的等同

D.长尾理论认为众多小市场能够汇聚成与主流大市场相匹敌的市场能量

正确答案：D

3、（单选题）下列属于外部中断的是（）

A.主存访问方式保护中断

B.寻址超过主存容量中断

C.定时器中断

D.指令和数据格式出错中断

正确答案：C

4、（单选题）当标记的TYPE属性的值为()时，代表一个单选按钮。

A.TEXT

B.PASSWORD

C.RADIO

D.CHECKBOX

正确答案：C

5、（单选题）网络安全的根本保证是()。

A.严格的安全管理

B.先进的网络安全技术

C.健全的安全机制

D.先进的安全技术

正确答案：B

6、（单选题）系统中有n个并发进程涉及到某个相同的变量x，那么关于变量x的相关临界区的个数是（）

A.n-x

B.X-n

C.1

D.n

正确答案：D

7、（单选题）测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下:V1=0V，V2=-5V，V3=-0.3V，则可判断()

A.A.该管为NPN管，材料为硅，1极为集电极

B.该管为NPN管，材料为锗，2极为集电极

C.该管为PNP管，材料为硅，1极为集电极

D.该管为PNP管，材料为锗，2极为集电极

正确答案：D

8、（单选题）进程从运行状态进入就绪状态的原因可能是（）

A.被进程调度程序选中

B.等待某一事件的发生

C.等待的事件已发生

D.时间片用完

正确答案：D

9、（单选题）下列图中是欧拉图的有()。

A.

B.

C.

D.

正确答案：B

10、（单选题）EPROM是指______。

A.读写存储器

B.只读存储器

C.可编程的只读存储器

D.光擦除可编程的只读存储器

正确答案：D

二、多选题（1小题，每小题5分，共计5分）

1、（多选题）INPUT标记TYPE属性的值为()时，表示一个具有预置功能的按钮。

A.TEXT

B.RADIO

C.RESET

D.CHECKBOX

E.SUBMIT

正确答案：CE

第Ⅱ卷（非选择题45分）

三、填空题（5小题，每小题4分，共计20分）

1、（填空题）运算器的两个主要功能是：A.______，B.______。

正确答案：算术运算、逻辑运算

2、（填空题）如果连通平面图G有n个顶点，e条边，则G有_______个面。

正确答案：e+2-n

3、（填空题）典型的详细设计工具有程序流程图、盒图、问题分析图和____________。

正确答案：PDL(或类程序设计语言)

4、（填空题）二进制码最小单位是____，基本单位是____。

正确答案：位、字节

5、（填空题）能够并行读出多个CPU字的单体多字和_______、_______的交叉访问主存系统被称为并行主存系统。

正确答案：多体单字、多体多字

四、判断题（1小题，每小题5分，共计5分）

1、（判断题）PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。

正确答案：

正确

五、计算题（1小题，每小题10分，共计10分）

1、（计算题）设计一反相加法器，使其输出电压V0=-7Vi1+14Vi2+3.5Vi3+10Vi4)，允许使用的最大电阻为280kΩ，求各支路电阻。

正确答案：

六、解答题（1小题，每小题10分，共计10分）

1、（问答题）简述RUP设计模型以及包含的元素。

正确答案：RUP的设计模型是RUP设计的主要结果，它尽量保持该系统具有分析模型的结抅，并作为系统实现的输入。它包括以下元素：

(1)设计子系统和服务子系统，以及它们的依赖、接口和内容;

(2)设计类，以及它们具有的操作、属性、关系及其实现需求;

(3)用