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半导体芯片制造中、高级工考试题(含答案)

一、选择题（每题3分，共30分）

1.在半导体芯片制造中，以下哪种气体常用于刻蚀工艺？（）

A.氮气（N?）

B.氢气（H?）

C.氯气（Cl?）

D.氧气（O?）

答案：C

解析：刻蚀工艺是将晶圆上未被光刻胶保护的部分去除的过程。氯气具有强氧化性和腐蚀性，能与半导体材料发生化学反应，常用于刻蚀硅等材料。氮气化学性质稳定，常用于保护气体；氢气主要用于还原气氛或外延生长等过程；氧气常用于氧化工艺，而非典型的刻蚀气体。

2.光刻工艺中，光刻胶的作用是（）

A.保护晶圆表面

B.作为刻蚀的阻挡层

C.形成电路图案

D.以上都是

答案：D

解析：光刻胶在光刻工艺中起着关键作用。首先，它可以保护晶圆表面，防止在后续工艺中受到损伤。在刻蚀过程中，光刻胶覆盖的部分会阻挡刻蚀剂对晶圆的刻蚀，起到阻挡层的作用。同时，通过光刻曝光和显影等步骤，光刻胶可以在晶圆表面形成与掩膜版相同的电路图案。

3.以下哪种清洗方法不属于半导体芯片制造中的湿法清洗？（）

A.硫酸-过氧化氢清洗

B.等离子体清洗

C.盐酸-过氧化氢清洗

D.氨水-过氧化氢清洗

答案：B

解析：湿法清洗是利用液体化学试剂去除晶圆表面杂质的方法。硫酸-过氧化氢清洗、盐酸-过氧化氢清洗、氨水-过氧化氢清洗都属于常见的湿法清洗配方。而等离子体清洗是利用等离子体与晶圆表面的杂质发生物理或化学反应来去除杂质，属于干法清洗。

4.化学气相沉积（CVD）工艺中，沉积速率与以下哪个因素无关？（）

A.反应气体的流量

B.反应温度

C.晶圆的尺寸

D.反应压力

答案：C

解析：沉积速率是指在化学气相沉积过程中，薄膜在晶圆表面生长的速度。反应气体的流量会影响反应物的浓度，从而影响沉积速率；反应温度会影响化学反应的速率，进而影响沉积速率；反应压力也会对反应的进行和沉积速率产生影响。而晶圆的尺寸主要影响一次可以处理的晶圆数量，与沉积速率本身无关。

5.离子注入工艺中，注入离子的能量主要影响（）

A.注入离子的剂量

B.注入离子的深度

C.注入离子的浓度分布

D.注入离子的种类

答案：B

解析：离子注入是将高能离子束注入到半导体晶圆中，以改变其电学性能。注入离子的能量决定了离子能够穿透晶圆表面的深度。注入离子的剂量是指注入到晶圆中的离子总数；注入离子的浓度分布与注入能量、剂量以及后续的退火工艺等有关；注入离子的种类是由离子源决定的，与能量无关。

6.在半导体芯片制造中，用于精确测量晶圆厚度的仪器是（）

A.扫描电子显微镜（SEM）

B.原子力显微镜（AFM）

C.椭偏仪

D.能谱仪（EDS）

答案：C

解析：椭偏仪是一种利用光的偏振特性来测量薄膜厚度和光学常数的仪器，在半导体芯片制造中常用于精确测量晶圆表面薄膜的厚度。扫描电子显微镜主要用于观察晶圆表面的微观形貌；原子力显微镜可以测量微观表面的形貌和力学性质；能谱仪主要用于分析材料的元素组成。

7.以下哪种封装形式散热性能最好？（）

A.塑料双列直插式封装（PDIP）

B.球栅阵列封装（BGA）

C.小外形封装（SOP）

D.芯片尺寸封装（CSP）

答案：B

解析：球栅阵列封装（BGA）的引脚分布在封装底部，形成球形焊点阵列，这种结构使得芯片与电路板之间的连接更加紧密，散热路径更短，散热面积更大，因此散热性能较好。塑料双列直插式封装（PDIP）引脚分布在两侧，散热面积较小；小外形封装（SOP）引脚间距较小，散热也相对有限；芯片尺寸封装（CSP）主要特点是尺寸小，散热性能不如BGA。

8.半导体芯片制造中的光刻分辨率主要取决于（）

A.光刻胶的灵敏度

B.光刻机的光源波长

C.光刻掩膜版的质量

D.光刻工艺的曝光时间

答案：B

解析：光刻分辨率是指光刻工艺能够在晶圆上形成的最小特征尺寸。根据瑞利判据，光刻分辨率与光刻机的光源波长成正比，波长越短，分辨率越高。光刻胶的灵敏度主要影响曝光和显影的速度；光刻掩膜版的质量会影响图案的准确性，但不是决定分辨率的主要因素；光刻工艺的曝光时间主要影响光刻胶的曝光程度，与分辨率没有直接关系。

9.以下哪种材料常用于半导体芯片的衬底？（）

A.玻璃

B.陶瓷

C.硅

D.铜

答案：C

解析：硅是半导体芯片制造中最常用的衬底材料，因为硅具有良好的半导体性能、热稳定性和机械性能，并且易于加工和掺杂。玻璃和陶瓷通常用于封装或其他辅助材料；铜主要用于芯片内部的互连布线。

10.在半导体芯片制造的清洗工艺中，去除金属杂质常用的试剂是（）

A.氢氟酸（HF）

B.硝酸（HNO?）

C.王水（HCl+HNO?）

D.硫酸（H?SO