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第4章：常用半导体器件—复习要点

基本概念:了解半导体基本知识和PN结的形成及其单向导电性；掌握二极管的伏安特性以及单向导电性特点,理解二极管的主要参数及意义，掌握二极管电路符号；理解硅稳压管的结构和主要参数，掌握稳压管的电路符号;了解三极管的基本结构和电流放大作用，理解三极管的特性曲线及工作在放大区、饱和区和截止区特点，理解三极管的主要参数，掌握NPN型和PNP型三极管的电路符号。

分析依据和方法：

二极管承受正向电压（正偏）二极管导通，承受反向电压（反偏）二极管截止.

稳压管在限流电阻作用下承受反向击穿电流时，稳压管两端电压稳定不变（施加反向电压大于稳定电压，否者，稳压管反向截止）;若稳压管承受正向电压，稳压管导通(与二极管相同）。

理想二极管和理想稳压管：作理想化处理即正向导通电压为零，反向截止电阻无穷大。

三极管工作在放大区：发射结承受正偏电压；集电结承受反偏电压;

三极管工作在饱和区：发射结承受正偏电压；集电结承受正偏电压;

三极管工作在截止区：发射结承受反偏电压；集电结承受反偏电压；

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难点：含二极管和稳压管电路分析，三极管三种工作状态判断以及三极管类型、极性和材料的判断。

一、填空题

1.本征半导体中价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，留下一个空位称为空穴，它们分别带负电和正电，称为载流子.

2.在本征半导体中掺微量的五价元素,就称为N型半导体，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴它主要依靠多数载流子导电。,

,

3。在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子，它主要依靠多数载流子导电。自由

自由

4。PN结加正向电压时，有较大的电流通过，其电阻较小，加反向电压时处于截止状态，这就是PN结的单向导电性。

5.在半导体二极管中，与P区相连的电极称为正极或阳极，与N区相连的电极称为负极或阴极。6。晶体管工作在截止区的条件是：发射结反向偏置，集电结反向偏置.

7。晶体管工作在放大区的条件是:发射结正向偏置，集电结反向偏置。

8.晶体管工作在饱和区的条件是：发射结正向偏置，集电结正向偏置。

9.三极管IB、IC、IE之间的关系式是（IE＝IB＋IC），?IC/IB的比值叫直流电流放大系数,△IC/△IB的比值叫

.交流电流放大系数

交流电流放大系数

10。在电子技术中三极管的主要作用是：具有电流放大作用和开关作用。

11.若给三极管发射结施加反向电压，可使三极管处于可靠的截止状态。

12。已知某PNP型三极管处于放大状态,测得其三个电极的电位分别为—9V、-6V和-6.2V,则三个电极分别为集电极、发射极和基极。

13。已知某NPN型三极管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为9V、6.2V和6V，则三个电极分别为集电极、基极和发射极。

14。N型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。

15。P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。

16.给半导体PN结加正向电压时，电源的正极应接半导体的P区，电源的负极通过电阻接半导体的N区。

区。

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17.给半导体PN结加反向电压时,电源的正极应接半导体的N区，电源的负极通过电阻接半导体的P区.18。半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置.

19.二极管的反向漏电流越小，二极管的单向导电性能就越好.

20.半导体三极管是具有二个PN结即发射结和集电结。

21.三极管的偏置情况为发射结正向偏置、集电结正向偏置时，三极管处于饱和状态。

二、计算题

1．如图所示电路，输入端A

1．如图所示电路，输入端A的电位U＝+3V,B点的电位U＝0V，电阻R接电源电压为-15V，求输出

AB

端F

端F的电位U。

F

解:因为DA和DB为共阴极连接，A、B两端为它们的阳极，因此UA、UB中的高电位

对应的管子将会优先导通。

由U

由U＞U可知,D将会优先导通。如果D为硅二极管，其正向压降为0V,则此时U＝+3V。当D导通

ABAAFA

后，DB因承受反向电压而截止。

在此处，DA起的就是钳位作用,把F端的电位钳置在+3V；DB起隔离作用，把输入端B和输出端F隔离开.

2．有两只晶

2．有两只晶体管，一只的β＝200,I＝200μA；另一只的β＝100，I＝10μA,其它参