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(2025年)半导体芯片制造中、高级工考试题(+答案)

一、选择题（每题3分，共30分）

1.在半导体芯片制造中，以下哪种光刻技术分辨率最高（）

A.紫外光刻

B.深紫外光刻

C.极紫外光刻

D.电子束光刻

答案：C

解析：紫外光刻和深紫外光刻由于波长相对较长，分辨率有限。电子束光刻虽然分辨率高，但生产效率低。极紫外光刻采用极短波长的光线，能够实现更高的分辨率，是目前最先进的光刻技术，所以选C。

2.化学机械抛光（CMP）工艺的主要作用是（）

A.去除表面杂质

B.提高表面平整度

C.增加芯片厚度

D.改善芯片导电性

答案：B

解析：化学机械抛光是通过化学腐蚀和机械研磨的协同作用，对芯片表面进行平整化处理，主要目的是提高表面平整度，而不是去除表面杂质（清洗工艺主要负责去除杂质）、增加芯片厚度或改善导电性，所以选B。

3.以下哪种气体常用于半导体芯片制造的刻蚀工艺（）

A.氮气

B.氢气

C.氯气

D.氧气

答案：C

解析：氮气通常用于保护气体等。氢气在一些工艺中有特定用途，但不是主要的刻蚀气体。氧气常用于氧化工艺。氯气具有强氧化性和腐蚀性，在刻蚀工艺中可以与半导体材料发生化学反应，实现刻蚀目的，所以选C。

4.外延生长是在半导体芯片制造中用于（）

A.形成绝缘层

B.生长高质量的半导体层

C.制作金属互连层

D.进行离子注入

答案：B

解析：外延生长是在衬底表面生长一层与衬底晶格匹配的高质量半导体层，用于改善器件性能等。形成绝缘层一般采用氧化、沉积等方法。制作金属互连层是通过金属沉积等工艺。离子注入是将离子注入到半导体中改变其电学性质，所以选B。

5.离子注入工艺中，离子的能量主要影响（）

A.注入离子的种类

B.注入离子的浓度

C.注入离子的深度

D.注入区域的面积

答案：C

解析：离子的能量决定了离子能够穿透半导体材料的深度，能量越高，注入深度越深。注入离子的种类由离子源决定。注入离子的浓度与注入剂量有关。注入区域的面积由光刻等工艺确定，所以选C。

6.以下哪种材料常用于半导体芯片的栅极材料（）

A.铜

B.铝

C.多晶硅

D.金

答案：C

解析：铜和铝主要用于金属互连层。金由于成本高，不常用于栅极。多晶硅具有良好的电学性能和工艺兼容性，是常用的栅极材料，所以选C。

7.光刻工艺中，光刻胶的作用是（）

A.保护芯片表面

B.作为刻蚀的掩膜

C.提高芯片的导电性

D.增加芯片的厚度

答案：B

解析：光刻胶在光刻工艺中，经过曝光和显影后，会在芯片表面形成特定的图案，这个图案可以作为后续刻蚀或离子注入等工艺的掩膜，保护不需要处理的区域，而不是保护芯片表面（保护芯片表面有专门的保护膜）、提高导电性或增加厚度，所以选B。

8.以下哪种清洗方法可以去除芯片表面的有机物杂质（）

A.去离子水清洗

B.过氧化氢清洗

C.氢氟酸清洗

D.氨水-过氧化氢混合液清洗

答案：D

解析：去离子水主要用于冲洗，不能有效去除有机物。过氧化氢有一定氧化性，但对有机物去除效果有限。氢氟酸主要用于去除氧化层。氨水-过氧化氢混合液（SC-1清洗液）可以有效去除有机物杂质，所以选D。

9.半导体芯片制造中，CVD（化学气相沉积）工艺主要用于（）

A.离子注入

B.光刻

C.薄膜沉积

D.刻蚀

答案：C

解析：离子注入是将离子注入到半导体中。光刻是用于图案转移。刻蚀是去除不需要的材料。化学气相沉积是通过化学反应在芯片表面沉积薄膜，所以选C。

10.以下哪种检测方法可以用于检测芯片内部的缺陷（）

A.光学显微镜检测

B.扫描电子显微镜检测

C.X射线检测

D.原子力显微镜检测

答案：C

解析：光学显微镜检测主要用于观察芯片表面的宏观特征，分辨率有限，难以检测内部缺陷。扫描电子显微镜检测主要观察表面微观结构。原子力显微镜检测主要用于表面形貌的高精度测量。X射线可以穿透芯片，检测内部的缺陷，所以选C。

二、填空题（每题3分，共30分）

1.半导体芯片制造中，常用的衬底材料是______。

答案：单晶硅

解析：单晶硅具有良好的电学性能、晶体结构和热稳定性，是半导体芯片制造中最常用的衬底材料。

2.光刻工艺的基本步骤包括涂胶、______、显影。

答案：曝光

解析：光刻工艺先在芯片表面涂覆光刻胶，然后通过曝光使光刻胶发生化学反应，最后通过显影将曝光或未曝光的部分去除，形成图案。

3.化学机械抛光（CMP）中使用的磨料通常是______。

答案：二氧化硅

解析：二氧化硅磨料具有合适的硬度和化学稳定性，在化学机械抛光过程中能够有效地对芯片表面进行研磨和抛光。

4.离子注入后通常需