探索Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点：制备工艺与性能特性的深度剖析.docx

下载文档

2
0
约2.86万字
约 22页
2025-06-24 发布于上海
举报
版权申诉
保障服务

探索Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点：制备工艺与性能特性的深度剖析.docx

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

探索Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点：制备工艺与性能特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着纳米技术的飞速发展，量子点作为一种具有独特物理化学性质的纳米材料，在众多领域展现出了巨大的应用潜力，受到了广泛的关注与深入研究。量子点，又被称为半导体纳米微晶粒，是一种粒径处于1-100nm之间的准零维纳米材料，其半径小于或接近于波尔激子半径，能接受激发光从而产生荧光。因其内部电子运动在三维空间都受到限制，具有显著的量子尺寸效应和表面效应，呈现出与体相材料截然不同的光学和电学特性，在发光材料、光敏传感器等领域具备广阔的应用前景。

依据元素组成的差异，量子点可被分为Ⅳ族（如Si量子点）