光电检测器件工作原理及特性课件.pptVIP

光電檢測器件工作原理及特性2.1光電檢測器件的物理基礎

----光電效應和光熱效應

光電導效應、光生伏特效應和光熱效應光電效應：物質受光照射後，材料電學性質發生了變化（發射電子、電導率的改變、產生感生電動勢）現象。包括：外光電效應：產生電子發射內光電效應：內部電子能量狀態發生變化2.1.1光電導效應光電導效應：光照射的物質電導率發生改變，光照變化引起材料電導率變化。是光電導器件工作的基礎。物理本質：光照到半導體材料時，晶格原子或雜質原子的束縛態電子吸收光子能量並被激發為傳導態自由電子，引起材料載流子濃度增加，因而導致材料電導率增大。屬於內光電效應。包括：本征和非本征兩種，對應本征和雜質半導體材料。1、本征光電導效應本征光電導效應：是指本征半導體材料發生光電導效應。即：光子能量hv大於材料禁帶寬度Eg的入射光，才能鐳射出電子空穴對，使材料產生光電導效應。針對本征半導體材料。即：hvEg即存在截止波長：λ0=hc/Eg=1.24/Eg。基本概念：1、穩態光電流：穩定均勻光照2、暗電導率和暗電流3、亮電導率和亮電流4、光電導和光電流基本公式：暗電導率Gd=σdS/L暗電流Id=σdSU/L亮電導率Gl=σlS/L亮電流Il=σlSU/L光電導Gp=ΔσS/L光電流Ip=ΔσSU/L光電導效應示意圖LS本征半導體樣品光U2、光電導弛豫過程光電導效應是非平衡載流子效應，因此存在一定的弛豫現象，即光電導材料從光照開始到獲得穩定的光電流需要一定的時間。同樣光電流的消失也是逐漸的。弛豫現象說明了光電導體對光強變化的反應快慢程度，稱為惰性。EtOi(%)tO1006337τrτf矩形光脈衝光電導對光強變化反應的惰性引起光電流變化的延遲輸出光電流與光功率調製頻率變化關係是一低通特性。3、光電導增益光電導增益是表徵光電導器件特性的一個重要參數，表示長度為L的光電導體在兩端加上電壓U後，由光照產生的光生載流子在電場作用下形成的外電流與光生載流子在內部形成的光電流之比。可表示為:M=τ/τdr

τ為器件的時間回應

τdr為載流子在兩極間的渡越時間光電導器件常做成梳狀電極，光敏面做成蛇形，即保證了較大的受光表面，又可減小電極間距離，從而減小載流子的有效極間渡越時間，也利於提高靈敏度光電導器件的光電導增益與帶寬積為一常數，即MΔf=常數。表明，光電導增益越大，光電靈敏度越高，而器件的帶寬越低。反之亦然。這一結論對光電效應現象有普遍性。2.1.2雜質光電導效應：雜質半導體雜質半導體中施主或受主吸收光子能量後電離中，產生自由電子或空穴，從而增加材料電導率的現象。

雜質半導體禁帶寬度比本征小很多，因此更容易電離，回應波長比本征材料要長得多。用EI表示雜質半導體的電離能，則截止波長：λ0=hc/EI。

特點：容易受熱激發產生的雜訊的影響，常工作在低溫狀態。

常用光電導材料：矽Si、鍺Ge及摻雜的半導體材料，以及一些有機物。2.1.3光生伏特效應達到內部動態平衡的半導體PN結，在光照的作用下，在PN結的兩端產生電動勢，稱為光生電動勢。這就是光生伏特效應。也稱光伏效應。物理本質：PN結內建電場使得載流子（電子和空穴）的擴散和漂移運動達到了動態的平衡，在光子能量大於禁帶寬度的光照的作用下，鐳射出的電子空穴對打破原有平衡，靠近結區電子和空穴分別向N區和P區移動，形成光電流，同時形成載流子的積累，內建電場減小，相當於在PN加了一個正向電壓。即光生電動勢。IpPN____VDV+光照PNEcEvEFeVD無光照有光照PNEcEvEFeVD-eV形成過程：空穴電子光生（正向）電壓產生正向注入電流（由P指N）：I+=Is[exp(qV/kT)-1]I+當PN結外接回路時，總電流與光生電流和結電流之間關係：I=Ip-I+=Ip-Is[exp(qV/kT)-1]負載接入外回路，電流為I，則PN結兩端電壓為：V=(kT/q)ln[(Ip-I)/Is+1]PN結開路時，I=0，求得開路電壓：Voc