GB/T 45716-2025半导体器件　金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验.pdf

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

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GBT457162025IEC623732006

半导体器件金属氧化物半导体场效应晶

体管()的偏置温度不稳定性试验

MOSFETs

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2025-05-30发布2025-09-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

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GBT457162025IEC623732006

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4试验设备…………………3

4.1设备…………………3

4.2处理要求……………3

5试验样品…………………3

5.1样品…………………3

5.2封装…………………4

5.3防静电保护电路……………………4

6程序………………………4

6.1初始测量和读取点测量……………4

6.2试验…………………………