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β-Ga2O3肖特基二极管终端结构的研究
一、引言
随着电子技术的飞速发展，半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。其中，肖特基二极管作为一种重要的半导体器件，在高频、高速、大功率等领域具有广泛的应用前景。β-Ga2O3作为一种新型的宽禁带半导体材料，具有优异的电学性能和化学稳定性，因此在肖特基二极管领域具有巨大的应用潜力。本文旨在研究β-Ga2O3肖特基二极管的终端结构，为该器件的进一步应用提供理论依据和技术支持。
二、β-Ga2O3材料特性及肖特基二极管原理
β-Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高电子迁移率等优异性能。肖特基二极管是一种利用金属与半导体接触形成的势垒实
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