用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南 编制说明.pdf

《用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN

HEMT)动态导通电阻测试方法指南》（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1、任务来源

《用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）动态导通电阻

测试方法指南》标准制定是2024年第五批推荐性国家标准计划项目，计划项目批

准文号：国标委发【2024】32号，计划代号T-339，由中华人民共和

国工业和信息化部提出，由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归

口，主要承办单位为工业和信息化部电子第五研究所，广东工业大学、电子科技

大学、三微电子科技（苏州）有限公司、南京大学等单位参与编制。项目周期：

16个月。

2、制定背景

目前，基于AlGaN/GaN异质结二维电子气（2DEG）结构的GaN横向型高电

子迁移率晶体管，因其低导通损耗和高功率密度能力而成为商业化应用的主流

GaNHEMT功率开关器件产品。但在实际使用过程中，应用工程师仍然对GaN

HEMT功率器件可靠性存在担忧。其中，最关键的可靠性问题就是GaN功率器件

在开关操作中所面临的动态导通电阻（RDS(ON)）退化问题，这种现象也被称为“电

流崩塌”现象。由于器件表面陷阱、异质外延层体陷阱所引起的沟道载流子部分

耗尽，而造成的器件导通电阻和导通损耗增加的现象。也就是说，GaN器件在承

受一段时间高压偏置后再切换到开通状态，实际的导通电阻会高于静态导通电阻

值。因此，在高频变换器应用中，由动态电阻变化带来的导通电阻增加现象将十

分显著，这会大大增加器件的功率损耗，降低器件的工作效率，严重制约GaN功

率的器件广泛应用。

制定《用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)动态导通电

阻测试方法指南》国家标准，实现GaNHEMT功率器件动态导通电阻的精准测试，

将进一步补充完善相关GaNHEMT功率器件产品的数据手册，并对器件工艺水平

给出定量考核依据，可以有力支撑GaNHEMT功率器件的研制生产和应用开发

等，促进我国第三代半导体产业的发展，对保证整机系统的可靠应用具有十分积

极的推动作用。

国家标准报批资料

2、主要工作过程

起草阶段：

2023年3月，工业和信息化部电子第五研究所牵头成立了编制组，编制组成

员包括检验试验管理人员、长期从事GaN功率晶体管设计、生产、测试、可靠性

研究的技术人员和试验人员，以及具有多年国标编制经验的标准化专家。

2023年4月~2024年7月，编制组对等同采用的IEC标准进行了调研，该标准

的要求符合国内的实际使用情况，因此可以等同采用。对等同采用的IEC标准进

行了翻译、研究、分析和比较。

2024年8月~2025年2月，签订项目任务书，征集参编单位。

2025年3月，全国半导体器件标准化技术委员组织召开项目启动会，制定后

续工作计划。

2024年4月~2025年6月，编制工作组讨论稿，所内召开讨论会，修改、完善

标准内容，形成了标准的征求意见稿，并编写编制说明。

3、标准编制的主要成员单位及其所做的工作

本标准起草单位为工业和信息化部电子第五研究所、广东工业大学、电子科

技大学、浙江大学、南京大学、三微电子科技（苏州）有限公司、英诺赛科(苏

州)半导体有限公司、北京大学、西安电子科技大学广州研究院、南方电网科学

研究院有限责任公司、河北新华北集成电路有限公司、深圳小米通讯有限公司等

（该顺序非最终编制单位顺序）。人员分工如下（以下顺序非最终编制人员顺序）。

表1编制组人员分工表

序号单位姓名分工

何亮标准编写总负责

陈媛项目策划，标准翻译

施宜军负责行业调研和试验数据分析

1工业和信息化部电子第五研究所

陈兴欢负责标准格式和文本校对