新型浆料化学机械抛光CaF2晶体的研究.pdfVIP

Master’sDegreeThesisofDalianUniversityofTechnology

摘要

由于具有宽广的透射范围和优异的无色差和消色差特性，氟化钙(CaF)晶体常用

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于透镜、棱镜和窗口等光学元件。近年来，对具有高表面质量的CaF2晶体的需求不

断增加。由于其作为一种柔软且易碎的材料的特性，抛光过程中容易产生表面缺陷和

裂纹。化学机械抛光(CMP)可以为CaF2晶体制造原子级平滑的表面。在CMP中

，通常会优化浆料的组成以增强化学反应，从而促进材料去除并最大限度地降低表面

粗糙度。通过精确调节CMP浆料的pH值、抛光参数和磨粒尺寸，可以显着降低

CaF2晶体的表面粗糙度。

本研究引入了一种新型的化学机械抛光浆料，用于实现CaF2晶体的超平滑表面质

量。该浆料配方利用了纳米级grapheneoxide和CeO2纳米颗粒的协同效应。

grapheneoxide能有效地将CeO2颗粒分散在去离子水中，形成均匀的浆料，这对于实

现光滑无损伤的抛光表面至关重要。粒径为20nm的CeO2颗粒可以在CMP过程中有

效去除CaF2表面材料并减少表面损伤的产生，实现高质量抛光。当浆料在pH10的

抛光过程中与CaF2晶体接触时，通过CeO2磨粒的物理磨损、与氟化钙表面的化学反

应以及与grapheneoxide的促进作用来去除CaF2晶体表面凹凸不平和缺陷。在CMP

过程的第一阶段(pH10)，加入KOH主要用于影响grapheneoxide。KOH使graphene

oxide的一部分官能团电离。由于电离现象的产生，grapheneoxide上的负表面电荷改

善了它在浆料中的分散性。

这种方法可以实现对CaF2表面更均匀的抛光作用。grapheneoxide在抛光过程中

有效地贴合表面，从而最大限度地减少划痕和其他缺陷。然而，在pH10的条件下实

现超平滑面具有挑战性，因为在碱性环境中，CaF2会反应生成新的化合物，从而阻碍

最佳抛光。为了解决在CaF2中使用pH10浆料的限制，第二阶段引入了柠檬酸。这

将CMP浆料的pH值调整为5，并利用柠檬酸在酸性环境中作为络合剂。这可以防

止CeO2纳米颗粒的团聚，促进它们在整个浆料中的均匀分布。通过使用两阶段CMP

工艺，可以实现更光滑的CaF2表面。还进行了XPS分析，以研究碱性和酸性环境

下CaF2晶体上发生的化学反应的特征。

结果表明，通过两阶段CMP可以获得更好的CaF2晶体表面。首先，使用包含

碱性浆料(pH10,5分钟)然后是酸性浆料(pH5,20分钟)的抛光方法，以及CeO,

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20nm的1wt.%，添加0.02wt.%的GO纳米片，转速为60rpm，压力为4.1kPa。

在这些条件下，实现了0.155nm的表面粗糙度(Sa)，没有明显的凹坑或划痕。这项

研究成功地确定了新型浆料的理想配方，用于