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真空蒸发镀膜法

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◆理解饱和蒸汽压、蒸发温度等基本概念；

◆掌握真空蒸发的原理、设备要求、不同类型蒸发源的蒸发特

点、各种蒸发材料的特点、基本的蒸发镀膜操作过程；

理解并掌握真空蒸发镀膜时真空室内起始压强的确定方法；

、了解真空蒸发镀膜法的应用情况。

本章的基本要求

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第三章真空蒸发镀膜法

◆§3.1概念

§3.2真空蒸发镀膜的原理

◆§3.3常用的蒸发源及蒸发材料

◆§3.4影响薄膜生长和性能的几个因素及真空蒸发

镀膜技术的应用

§3.5分子束外延(MBE)技术3

§3.1概念

、真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空

室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，

使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸汽

流，入射到固体(称为衬底或基片)表面，

凝结形成固态薄膜的方法。

§3.2真空蒸发镀膜的原理

四个主要内容：

真空蒸发装置

蒸发真空度的确定

※蒸发温度

1.蒸发速率

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衬底

×A

一往机械泵

×B

电阻式真空蒸发

设备示意图

1、真空蒸发装置

加热源

挡板

蒸发源

高阀

加热器

真空室

扩散泵

支架

加热源

挡板

蒸发源

高阀

扩散泵

加热器O

1、真空蒸发装置

8A

8B

真空室

往机械泵

支架

衬底

o

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蒸发镀膜的基本过程：

关闭充气阀和高真空阀等阀门，通

过图中的A-B右路系统对钟罩进行

预抽气。当压强达到预真空度后，

关闭低真空阀，打开高真空阀，通

过A-C-B左路系统用高真空机组进

行抽气。一旦钟罩内的压强达到所

需要的数值后，便可对蒸发源加热

进行蒸镀。蒸镀完毕后，关闭高真空阀，通过充气阀向钟罩放气。然后打开钟罩，取出蒸镀好的基片或工件，重新装入膜料，更换待镀的

基片或工件，放下钟罩。重复以上

步骤，再次进行蒸镀。8

1、真空蒸发装置

图：真空系统简化示意图

区低真空磁力阀

低真空磁力阀

B

回

扩散泵

A

C

磁力充气阀

高真空阀

机械泵

真空蒸发的特点

真空蒸发(除电子束蒸发外)与化学气相沉积、溅射镀膜

等成膜方法相比较，有如下的特点：

(1)设备简单、操作容易；

(2)制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可以较准确控制；

(3)成膜速率快、效率高，用掩膜可以获得清晰的图形；

(4)薄膜的生长机理单纯。

缺点是：

不容易获得结晶结构的薄膜，所形成的薄膜在基板上的附

着力小，工艺重复性不够好。9

2、起始蒸发真空度的确定

(1)为什么要确定起始蒸发的真空度?

起始蒸发的真空度高好?还是低好?

(2)如何确定起始蒸发的真空度?

(两种方法)Answer1Answer2

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假设残余气体处于同样的温度，膜料分子在残余气体中

的平均自由程为：

1

n,π(r+r)²

式中：

n指残余气体分子的密度；r指残余气体分子的半径；

r指蒸发的膜料分子(或原子)

半径。

A

因为：

P=n₁kT

所以，

L是源-基距，属于设备参数

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现已知从蒸发源到基片间的距离为Lcm,为使蒸发源出来

的膜料分子(或原子)大部分不与残余气体分子发生碰撞直接到达基片表面，通常要使得：

一般可以取≥10L

可得：

虽然结论是近似的，与实际值会

有几倍的差异，但在实际生产中应用方便，结果良好。

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起始蒸发真空度的确定依据

结合公式

由平均自由程公式：

在25℃空气中，λP≈0.667(cm·Pa)

平均自由程及蒸发分子与残余气体分子的碰撞都具有统计规

律，设N₀个蒸发分子飞行距离x后，未受到残余气体分子碰

撞的数目为：

N、=N₀e-x/λ

则被碰撞的分子百分数为：

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当时，则有fVa

在25℃空气中则有：f≈IP/0.667≈1.5LP

若要f≤10%,则1.5LP≤0.1:

则可得：P≤0.0667/1

如果I=25cm,计算可得：

P≤0.0667/25≈3×10-³Pa

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3、蒸发温度

蒸发温度高，蒸发速率就高，膜的致密度差；

、蒸发温度低，蒸发速率就低，膜容易被氧化。

蒸发温度

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一般规定物质在饱和蒸汽压为10-2Torr

时的温度为该物质的蒸发温度。

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饱和蒸汽压

在一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸汽与固体

或液体平衡过程中所表现出的压力称为该物质的

饱和蒸汽压。

饱和蒸汽压与温度的关系曲线对薄膜制作技术有

重要的实际意义，可以查到。

TableandFigure

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金属

分子量

10-*

不同蒸气压P,(Pa)下的温度T(K)

10²

熔点(K)

蒸发速率*

10-